Apariencia, instalación
¡Y así que vamos! Como notó anteriormente, ya tenía RAM y su volumen no era suficiente. ¿Qué crees que tengo? ¡Muy bien corsarios! Y para ser precisos, luego dos Corsair XMS3 4Gb 1600 CL9, respectivamente, sin pensarlo mucho tiempo, voy al directorio DNS y empiezo a buscar dichos módulos. No tuve que buscar durante mucho tiempo, porque. esta vez resultaron disponibles sets de dos módulos a la vez (cuando saqué mi primer dado, los sets no estaban disponibles y tuve que arrebatarlos por separado en distintos puntos de la ciudad), para los que no estén al tanto , diré que comprar un kit a un precio es más rentable que comprarlos por separado.Y luego me encontré con el primer obstáculo ... Había 2 juegos "idénticos" en stock, lo primero que me llamó la atención fue la diferencia de precio ~ 500r, pero al mirar más de cerca, noté que las letras difieren en las marcas ( como resultó más tarde, esta es una revisión), a saber: CMX8GX3M2A 1600C9 y CMX8GX3M2B 1600C9. ¿Cuál es la diferencia entre estos módulos? Google me dijo que los troqueles de revisión "A" son anteriores y funcionan con un voltaje de "1,65 V", y los troqueles de revisión "B" funcionan con un voltaje de "1,5 V". Al enterarme que tenía matrices revisión “A”, no me quedó más remedio (para evitar conflictos y problemas) y tuve que comprar un kit CMX8GX3M2A1600C9, que costaba más que la revisión “B”.
Para completar la reseña, agregaré algunas fotos tomadas en una jabonera que tenía a mano.
Apariencia del paquete.
La aparición de los módulos de memoria.
Vista de la unidad del sistema con módulos antiguos y ranuras libres para los nuevos
Y como probablemente ya hayas notado, aquí me enfrento al segundo y quizás el problema más difícil de todos. Así es, el enfriamiento del procesador ZALMAN CNPS 12X bloqueó la ranura más a la izquierda y para instalar el módulo en su lugar original, se tuvo que desmontar el sistema de enfriamiento. Pero nada, al mismo tiempo actualizó la pasta térmica en el procesador.
Sistema de refrigeración desmontado
módulos instalados
El sistema ensamblado y funcionando (es sorprendente que en la foto el enfriador "parece no funcionar" estoy asombrado con mi caja de jabón)
Pruebas de juego
Y así terminó el proceso de instalación, ahora pasemos directamente a las mediciones de rendimiento.La computadora en la que se tomaron las medidas consta de los siguientes componentes principales:
Procesador Intel Core I7 2600K 4.4GHz
Estera. placa base Asus P8P67 Rev 3.1
Tarjeta de video Asus GTX660TI DC2 ARRIBA
Primero, veamos cómo la instalación de módulos adicionales afectó el tiempo de carga de varios juegos y el propio sistema operativo: 
Como se puede ver en la tabla, la instalación de cuatro módulos nos dio una ventaja inicial promedio de 2 segundos, pero como dicen, no puede estar exento de fallas, y los juegos Counter-Strike Global Offensive y War Thunder sobresalieron en este sentido: el primero aceleró hasta 4 segundos, y en la última instalación, los módulos adicionales no afectaron la velocidad de descarga.
Los tiempos de juego se midieron utilizando la utilidad de captura de video de juegos PlayClaw 5, el tiempo de arranque del sistema operativo se puede ver en los informes de Windows.
Ahora pasemos a otro indicador como FPS (fotogramas por segundo), de inmediato quiero hacer una reserva de que todas las mediciones se realizaron a una resolución de 1920x1080 con sincronización vertical deshabilitada: 
Bueno, aquí no puedes prescindir de un pecado, por alguna razón, el punto de referencia CS GO incorporado no muestra el parámetro mínimo de FPS, mientras que el punto de referencia de War Thunder, por el contrario, es el máximo. Así que tuve que dejarlo como está.
Como vemos en los indicadores de FPS, la adición de dos módulos, en principio, tiene un efecto positivo en el FPS mínimo. El FPS mínimo solo se puede ver en War Thunder y Battlefield 3 y la diferencia fue de 5 FPS en ambos casos. Si observa el FPS promedio, entonces el aumento fue de 4 cuadros en Battlefield 3 y 5 cuadros en Counter-Strike Global Offensive, pero por razones que no entiendo, el FPS promedio en War Thunder fue eliminado por exactamente 1 (incluso reinicié el punto de referencia 3 veces y todo el tiempo dio los mismos números.
Desafortunadamente, estos son todos los juegos que están instalados actualmente en mi computadora, por lo que no fue posible tomar medidas en otros juegos (quería terminar rápidamente de recopilar información y ponerme a trabajar).
Pruebas sintéticas
Y, por último, alguna información para gourmets, a saber, indicadores sintéticos antes y después.
AIDA64 2x4Gb
AIDA64 4x4Gb
Sisoftware Sandra
recomendaciones
Nuevamente, compré RAM a raíz de la falta de 8GB, y no para aumentar los FPS en los juegos o los tiempos de carga. En realidad, se logró el objetivo: se aumentó la cantidad de RAM, pero en el camino se realizaron mediciones en los juegos y, por lo tanto, en base a esto, concluiré: Si su objetivo es aumentar el promedio mínimo de FPS en los juegos, así como acelerar los tiempos de carga, agregar módulos adicionales (cuatro en lugar de dos) lo ayudará con esto.. Depende de ti decidir si esos 5 FPS y un par de segundos de dinero valen la pena.Y ahora una pequeña revelación, la cantidad de RAM se ha incrementado debido a la necesidad de usar algo como RamDisk: convierte su RAM en un disco duro en el que puede instalar aplicaciones o almacenar varios datos (en mi caso es una base de datos ). La velocidad de tal disco es colosal, aquí están mis medidas de velocidad de lectura:
512mbs Intel SSD 520 120Gb; 244 mbs RAID0 2xWD Caviar Black 250Gb Raid Edition 3 (en un controlador separado); 178 Mbps WD Caviar Green 1Tb; Disco Ram de 10,4 Gbps.
Gracias a todos por su atención.
La memoria RAM es un componente importante de una computadora. Es necesario para procesar, almacenar datos temporales y realizar muchas tareas que involucran elementos tales como: tablas, gráficos, textos extensos, bases de datos, así como trabajos relacionados con el archivo o el cifrado y, por supuesto, los juegos de computadora. La velocidad y la cantidad instalada de RAM afectan en gran medida el rendimiento de una computadora para juegos.Para seleccionar la opción que sea adecuada en términos de parámetros y precio, es importante determinar el volumen y el nivel de complejidad de las tareas que planea realizar. Y además, si desea aumentar el rendimiento de su computadora y comprar un módulo RAM adicional, debe considerar los siguientes detalles:
- capacidades limitadas de la placa base (para admitir la memoria instalada con una mayor capacidad);
- la velocidad de ambos módulos de memoria, porque la velocidad final de trabajo será la más baja de las disponibles.
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¿Cómo elegir la memoria RAM adecuada?
Primero debe determinar la categoría de RAM: para computadoras, computadoras portátiles o servidores. A continuación, hay varios parámetros importantes:
tipo de RAM;
Memoria;
Frecuencia de reloj de trabajo.
El tipo moderno de RAM es DDR (Double Date Rate), de los cuales se presentan 4 tipos de módulos en nuestro sitio web: DDR2 es una buena solución, estuvieron muy extendidos durante mucho tiempo, pero en este momento prácticamente no se utilizan en placas base modernas; DDR3: módulos de memoria que son muy populares entre los usuarios y han mejorado el rendimiento de muchas maneras; una modificación más económica de DDR3 - DDR3L ("Bajo" - "consumo de energía reducido"), así como DDR4 - los módulos RAM más modernos hasta la fecha.
La cantidad de RAM debe elegirse de acuerdo con el propósito de usar la computadora y la cantidad de trabajo realizado. Más RAM significa menos tiempo para completar tareas individuales, pero tenga en cuenta que no todas las placas base admiten grandes cantidades de RAM, al igual que muchos sistemas operativos no reconocerán más de 4 GB de memoria compartida. Sin embargo, no todos los propósitos requieren una gran cantidad de RAM. Por ejemplo, los módulos de memoria con una capacidad de 2 GB a 4 GB son muy adecuados para los programas de oficina. Se requiere más RAM (8 GB - 16 GB o más) para juegos o editores de gráficos y videos (por ejemplo, Adobe Photoshop, Adobe Illustrator, Vegas Pro, etc.), especialmente cuando necesita trabajar en varios programas al mismo tiempo.
La velocidad de la computadora también es responsable de un parámetro de RAM como la frecuencia del reloj: la cantidad de operaciones (para la transferencia de datos) por segundo. La frecuencia depende del tipo de memoria y varía de 800 MHz a 3000 MHz.
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La memoria de trabajo es una señora caprichosa. Sola no es capaz de mucho, pero es sumamente exigente en la elección de pareja: dicen, no me agregues a nadie. Además, la naturaleza pendenciera de la RAM puede hacerse sentir inmediatamente después de la aparición de un vecino y con el tiempo. Por ejemplo, cuando necesitas urgentemente un ordenador.
Hoy pondremos todos los puntos sobre el "Yo" en preguntas sobre si es posible combinar diferentes tiras de RAM en una PC, si es posible trabajar junto con RAM de diferentes generaciones, tipos, volúmenes, frecuencias y fabricantes. Y si es así, en qué condiciones.
Conexión de generaciones
Mi placa base tiene ranuras para memoria RAM generacionalDDR2 yDDR3. ¿Es posible instalar dados de ambos tipos en él?
La respuesta inequívoca es no. Tales modificaciones híbridas de placas base se produjeron en el momento de la transición del estándar DDR2 a DDR3. Son capaces de trabajar tanto con memoria DDR2 a 667, 800 y 1066 mHz, como con DDR3 a 1066 y 1333 mHz. Si instala DDR2 y DDR3 juntos en dicha placa (por supuesto, en ranuras de su tipo), la computadora no se iniciará.
DDR3 + DDR3L = ?
¿Es posible usar dos módulos juntos?RAM, uno de los cualesDDR-3, y el segundo -DDR-3L? ¿En qué se diferencia el segundo del primero?
La memoria DDR3 ha sido la elección indiscutible durante mucho tiempo. Y solo poco antes del lanzamiento de DDR4 al mercado, su nueva modificación, DDR3L, vio la luz del día. La letra "L" en el nombre de este último significa "bajo voltaje" - bajo voltaje.
La RAM DDR3L funciona con un voltaje de 1,35 V, mientras que su predecesora consume 1,5 V; esta es su principal diferencia. Exteriormente, las tiras de ambos tipos tienen el mismo aspecto.
El estándar DDR3L es totalmente compatible con placas base y procesadores diseñados para DDR3, pero no al revés. Por ejemplo, los procesadores Intel de la microarquitectura Skylake S no admiten oficialmente DDR 3, aunque sí admiten DDR 3L.
A veces es posible compartir módulos de ambos tipos, pero no es deseable. Toda la memoria instalada en las ranuras de una placa base se alimenta con el mismo nivel de voltaje, por lo que solo uno de los soportes estará en condiciones óptimas. Las computadoras con esta configuración de RAM tienden a ser inestables y algunas no se encienden en absoluto.
Volúmenes y canales
Quiero instalar RAM en las 4 ranuras, ¿importa el tamaño de cada módulo? ¿Qué combinación funcionará más rápido: 4 sticks de 2 GB, 2 sticks de 4 GB o 1 stick de 8 GB?
El único requisito para la cantidad de RAM es que no exceda el máximo permitido, de lo contrario la computadora no encenderá o parte de la memoria quedará sin usar. Las afirmaciones de que toda la memoria RAM debe tener la misma capacidad son un mito. No hay mucho, así que pon todo lo que quieras.
Todas las computadoras de escritorio modernas y muchas computadoras portátiles admiten RAM multicanal. Con este método de organización, el acceso a la memoria no se realiza a lo largo de una, sino a lo largo de varias líneas paralelas, lo que aumenta significativamente el rendimiento de la máquina.
Las placas base con cuatro ranuras de RAM (el tipo más común) funcionan en modo de doble canal, es decir, tienen 2 conectores para 1 canal.
De las tres combinaciones presentadas, la segunda será la más rápida: 2 barras de 4 GB cada una, si las distribuye una por canal. ¿Por qué dos y no cuatro? Porque la tasa de intercambio de datos real entre el controlador y cada módulo RAM no es la misma, y cuantas más barras, más tiempo lleva sincronizarlas.
Para que los módulos RAM funcionen en modo multicanal, deben ser:
- misma frecuencia.
- Aproximadamente la misma capacidad (a veces se aceptan ligeras diferencias).
- Un tipo (por ejemplo, solo DDR3 o DDR3L).
Y su número total debe ser par.
Por cierto, las ranuras de RAM de un canal a menudo se hacen monocromáticas. Pero no siempre. Para saber dónde están en tu placa base, es mejor mirar sus instrucciones.
Frecuencias y horarios
¿Es posible combinar con diferentes tiempos? Si es así, ¿a qué frecuencia operan?
Pueden. Cada unidad de RAM almacena información sobre las frecuencias y tiempos admitidos dentro de sí misma (en el chip SPD). El controlador de memoria lee estos datos y selecciona el modo en el que todos los módulos pueden funcionar. Como regla general, esta es la frecuencia y los tiempos de los más lentos.
Varios fabricantes
¿Es necesario comprar una memoria RAM de un fabricante?
Es recomendable comprar RAM no solo de una marca, sino de conjuntos de fábrica de varios módulos. Estos dispositivos se han probado conjuntamente y se garantiza que funcionan "en un arnés común".
Sucede que la RAM de la misma marca y modelo, comprada por separado, no puede "encontrar un lenguaje común" de ninguna manera. También sucede viceversa, cuando los dispositivos de diferente origen demuestran un excelente trabajo en equipo. Igual de afortunado, pero la primera opción es más bien una excepción. La mayoría de las veces, los troqueles de diferentes fabricantes con características similares son compatibles.
¿Es posible combinar diferentes tiras de RAM en una computadora? actualizado: 26 de abril de 2018 por: Johnny mnemotécnico
Así salieron los procesadores Intel Haswell-E. El sitio ya ha probado el Core i7-5960X superior de 8 núcleos, así como la placa base ASUS X99-DELUXE. Y, quizás, el "chip" principal de la nueva plataforma fue el soporte para el estándar de RAM DDR4.
El comienzo de una nueva era, la era de DDR4
Acerca del estándar SDRAM y los módulos de memoria
Los primeros módulos SDRAM aparecieron en 1993. Fueron lanzados por Samsung. Para el año 2000, SDRAM expulsó por completo del mercado al estándar DRAM debido a las capacidades de producción del gigante coreano.
La abreviatura SDRAM significa Synchronous Dynamic Random Access Memory. Literalmente, esto se puede traducir como "memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona". Expliquemos el significado de cada característica. La memoria dinámica se debe a que, debido a la pequeña capacitancia de los condensadores, requiere una actualización constante. Por cierto, además de la dinámica, también existe la memoria estática, que no requiere una actualización constante de datos (SRAM). SRAM, por ejemplo, subyace a la memoria caché. Además de ser dinámica, la memoria también es síncrona, a diferencia de la DRAM asíncrona. La sincronicidad significa que la memoria realiza cada operación durante un número conocido de veces (o ciclos). Por ejemplo, al solicitar cualquier dato, el controlador de memoria sabe exactamente cuánto tiempo les llevará llegar a él. La propiedad de sincronicidad le permite controlar el flujo de datos y ponerlos en cola. Bueno, unas pocas palabras sobre "memoria de acceso aleatorio" (RAM). Esto significa que al mismo tiempo se puede acceder a cualquier celda en su dirección para leer o escribir, y siempre a la misma hora, independientemente de la ubicación.
Módulo de memoria SDRAM
Si hablamos directamente sobre el diseño de la memoria, entonces sus celdas son condensadores. Si hay una carga en el capacitor, entonces el procesador lo considera como una unidad lógica. Si no hay cargo, como un cero lógico. Estas celdas de memoria tienen una estructura plana y la dirección de cada una de ellas se define como el número de fila y columna de la tabla.
Cada chip contiene varias matrices de memoria independientes, que son tablas. Se llaman bancos. En una unidad de tiempo, puede trabajar con una sola celda en el banco, sin embargo, es posible trabajar con varios bancos a la vez. La información que se escribe no tiene que almacenarse en una sola matriz. A menudo se divide en varias partes y se escribe en diferentes bancos, y el procesador continúa considerando estos datos como un todo único. Este método de grabación se llama entrelazado. En teoría, cuantos más bancos de este tipo haya en la memoria, mejor. En la práctica, los módulos con una densidad de hasta 64 Mbit tienen dos bancos. Con una densidad de 64 Mbps a 1 Gbps, cuatro, y con una densidad de 1 Gbps y superior, ya son ocho.
¿Qué es un banco de memoria?
Y algunas palabras sobre la estructura del módulo de memoria. El módulo de memoria en sí es una placa de circuito impreso con chips soldados. Como regla general, a la venta puede encontrar dispositivos fabricados en los factores de forma DIMM (Módulo de memoria dual en línea) o SO-DIMM (Módulo de memoria dual en línea de contorno pequeño). El primero está destinado al uso en computadoras de escritorio completas y el segundo para la instalación en computadoras portátiles. A pesar del mismo factor de forma, los módulos de memoria de diferentes generaciones difieren en la cantidad de pines. Por ejemplo, la solución SDRAM tiene 144 pines para conectarse a la placa base, DDR - 184, DDR2 - 214 pines, DDR3 - 240 y DDR4 - ya 288 piezas. Por supuesto, estamos hablando de módulos DIMM en este caso. Los dispositivos hechos en el factor de forma SO-DIMM naturalmente tienen menos pines debido a su tamaño más pequeño. Por ejemplo, un módulo de memoria DDR4 SO-DIMM se conecta a la placa base mediante 256 pines.
El módulo DDR (abajo) tiene más pines que SDRAM (arriba)
También es bastante obvio que el volumen de cada módulo de memoria se calcula como la suma de las capacidades de cada chip soldado. Los chips de memoria, por supuesto, pueden diferir en su densidad (o, más simplemente, en su volumen). Por ejemplo, la primavera pasada, Samsung lanzó la producción en masa de chips con una densidad de 4 Gbps. Además, en un futuro previsible, está previsto lanzar memoria con una densidad de 8 Gbps. Además, los módulos de memoria tienen su propio bus. El ancho de bus mínimo es de 64 bits. Esto significa que se transmiten 8 bytes de información por reloj. Al mismo tiempo, cabe señalar que también hay módulos de memoria de 72 bits en los que los 8 bits "extra" están reservados para la tecnología de corrección de errores ECC (Error Checking & Correction). Por cierto, el ancho de bus de un módulo de memoria también es la suma de los anchos de bus de cada chip de memoria individual. Es decir, si el bus del módulo de memoria es de 64 bits y se sueldan ocho chips en la barra, entonces el ancho del bus de memoria de cada chip es 64/8 = 8 bits.
Para calcular el ancho de banda teórico de un módulo de memoria, puede usar la siguiente fórmula: A*64/8=PS donde "A" es la tasa de datos y "PS" es el ancho de banda deseado. Como ejemplo, podemos tomar un módulo de memoria DDR3 con una frecuencia de 2400 MHz. En este caso, el rendimiento será 2400*64/8=19200 MB/s. Es este número el que se entiende en la marca del módulo PC3-19200.
¿Cómo se lee la información directamente de la memoria? Primero, se envía una señal de dirección a la fila correspondiente (Fila), y solo luego se lee la información de la columna deseada (Columna). La información se lee en el llamado amplificador (amplificadores de sentido), un mecanismo para recargar condensadores. En la mayoría de los casos, el controlador de memoria lee a la vez un paquete de datos completo (ráfaga) de cada bit del bus. En consecuencia, al escribir, cada 64 bits (8 bytes) se dividen en varias partes. Por cierto, existe la longitud del paquete de datos (Longitud de ráfaga). Si esta longitud es igual a 8, entonces se transmiten 8*64=512 bits a la vez.
Los módulos de memoria y los chips también tienen una característica como la geometría o la organización (Organización de memoria). La geometría del módulo muestra su ancho y profundidad. Por ejemplo, un chip con una densidad de 512 Mbps y una profundidad de bits (ancho) de 4 tiene una profundidad de chip de 512/4=128M. A su vez, 128M = 32M * 4 bancos. 32M es una matriz que contiene 16000 filas y 2000 columnas. Puede almacenar 32 Mb de datos. En cuanto al módulo de memoria en sí, su profundidad de bits es casi siempre de 64 bits. La profundidad se calcula fácilmente usando la siguiente fórmula: el volumen del módulo se multiplica por 8 para convertir de bytes a bits y luego se divide por la profundidad de bits.
Puede encontrar fácilmente valores de tiempo en el marcado
Es necesario decir algunas palabras sobre las características de los módulos de memoria como los tiempos (retrasos). Al comienzo del artículo, dijimos que el estándar SDRAM proporciona un momento en el que el controlador de memoria siempre sabe cuánto tiempo lleva esta o aquella operación. Los tiempos solo indican el tiempo requerido para ejecutar un determinado comando. Este tiempo se mide en ciclos de bus de memoria. Cuanto más corto sea este tiempo, mejor. Los más importantes son los siguientes retrasos:
- TRCD (RAS to CAS Delay): el tiempo que se tarda en activar una línea bancaria. Tiempo mínimo entre el comando de activación y el comando de lectura/escritura;
- CL (Latencia CAS) - tiempo entre la emisión de un comando de lectura y el inicio de la transferencia de datos;
- TRAS (Activo para precargar) - tiempo de actividad de la fila. Tiempo mínimo entre activación de fila y comando de cierre de fila;
- TRP (Precarga de Fila) - tiempo requerido para cerrar una fila;
- TRC (Row Cycle time, Activate to Activate/Refresh time) - tiempo entre activación de filas del mismo banco;
- TRPD (Active bank A to Active bank B) - tiempo entre los comandos de activación para diferentes bancos;
- TWR (Tiempo de recuperación de escritura): el tiempo entre el final de la grabación y el comando para cerrar la línea del banco;
- TWTR (retraso interno del comando de escritura a lectura): el tiempo entre el final del comando de escritura y el de lectura.
Eso sí, estos distan mucho de todos los retrasos que existen en los módulos de memoria. Puede enumerar una docena más de tiempos posibles, pero solo los parámetros anteriores afectan significativamente el rendimiento de la memoria. Por cierto, solo se indican cuatro retrasos en el marcado de los módulos de memoria. Por ejemplo, con los parámetros 11-13-13-31, CL timing es 11, TRCD y TRP son 13 y TRAS son 31 relojes.
Con el tiempo, el potencial de la SDRAM alcanzó su techo y los fabricantes se enfrentaron al problema de aumentar la velocidad de la RAM. Así nació el estándar DDR.1
El advenimiento de DDR
El desarrollo del estándar DDR (Double Data Rate) comenzó en 1996 y finalizó con la presentación oficial en junio de 2000. Con la llegada de DDR, la SDRAM obsoleta comenzó a llamarse simplemente SDR. ¿En qué se diferencia el estándar DDR del SDR?
Después de que se agotaron todos los recursos SDR, los fabricantes de memorias tenían varias formas de resolver el problema de mejorar el rendimiento. Uno podría simplemente aumentar la cantidad de chips de memoria, aumentando así la capacidad de todo el módulo. Sin embargo, esto tendría un impacto negativo en el costo de dichas soluciones: esta idea era muy costosa. Por eso, la asociación de fabricantes JEDEC tomó un camino diferente. Se decidió duplicar el bus dentro del chip y transferir datos también al doble de la frecuencia. Además, DDR preveía la transferencia de información en ambos frentes de la señal del reloj, es decir, dos veces por reloj. Aquí es donde la abreviatura DDR significa Double Data Rate.
Módulo de memoria Kingston DDR
Con la llegada del estándar DDR, aparecieron conceptos como la frecuencia de memoria real y efectiva. Por ejemplo, muchos módulos de memoria DDR funcionaban a 200 MHz. Esta frecuencia se llama real. Pero debido al hecho de que la transmisión de datos se realizó en ambos frentes de la señal del reloj, los fabricantes multiplicaron esta cifra por 2 con fines de marketing y recibieron una frecuencia supuestamente efectiva de 400 MHz, que se indicó en la marca (en este caso, DDR -400). Al mismo tiempo, las especificaciones JEDEC indican que usar el término "megahertz" para caracterizar el nivel de rendimiento de la memoria es completamente incorrecto. En su lugar, se deben utilizar "millones de transferencias por segundo a través de una única salida de datos". Sin embargo, el marketing es un asunto serio y pocas personas estaban interesadas en las recomendaciones especificadas en el estándar JEDEC. Por lo tanto, el nuevo término nunca se popularizó.
Además, por primera vez, apareció un modo de memoria de doble canal en el estándar DDR. Podría usarse si hubiera un número par de módulos de memoria en el sistema. Su esencia es crear un bus virtual de 128 bits intercalando módulos. En este caso, se muestrearon 256 bits a la vez. Sobre el papel, el modo de doble canal puede duplicar el rendimiento del subsistema de memoria, pero en la práctica, el aumento de velocidad es mínimo y no siempre se nota. Depende no solo del modelo de RAM, sino también de los tiempos, el chipset, el controlador de memoria y la frecuencia.
Cuatro módulos de memoria funcionan en modo de doble canal
Otra innovación en DDR fue la presencia de una señal QDS. Se encuentra en la PCB junto con las líneas de datos. QDS fue útil cuando se usaban dos o más módulos de memoria. En este caso, los datos llegan al controlador de memoria con una pequeña diferencia de tiempo debido a las diferentes distancias a ellos. Esto crea problemas al elegir una señal de reloj para leer datos, que QDS resuelve con éxito.
Como se mencionó anteriormente, los módulos de memoria DDR se fabricaron en factores de forma DIMM y SO-DIMM. En el caso de DIMM, la cantidad de pines fue de 184 piezas. Para que los módulos DDR y SDRAM fueran físicamente incompatibles, las soluciones DDR tenían la llave (un corte en el área del pad) ubicada en un lugar diferente. Además, los módulos de memoria DDR funcionaban a 2,5 V, mientras que los dispositivos SDRAM utilizaban 3,3 V. En consecuencia, DDR tenía un consumo de energía y una disipación de calor inferiores en comparación con su predecesor. La frecuencia máxima de los módulos DDR era de 350 MHz (DDR-700), aunque las especificaciones JEDEC solo contemplaban una frecuencia de 200 MHz (DDR-400).
Memoria DDR2 y DDR3
Los primeros módulos DDR2 salieron a la venta en el segundo trimestre de 2003. En comparación con DDR, la RAM de segunda generación no ha recibido cambios significativos. DDR2 usó la misma arquitectura 2 n -prefetch. Si antes el bus de datos interno era el doble de grande que el externo, ahora se ha vuelto cuatro veces más ancho. Al mismo tiempo, el mayor rendimiento del chip comenzó a transmitirse a través de un bus externo a doble frecuencia. Es la frecuencia, pero no la tasa de transmisión doble. Como resultado obtuvimos que si el chip DDR-400 operaba a una frecuencia real de 200 MHz, entonces en el caso de DDR2-400 operaba a una velocidad de 100 MHz, pero con el doble de bus interno.
Además, los módulos DDR2 recibieron más pines para conectarse a la placa base y la clave se movió a otra ubicación por incompatibilidad física con los soportes SDRAM y DDR. La tensión de funcionamiento se redujo de nuevo. Mientras que los módulos DDR funcionaban a 2,5 V, las soluciones DDR2 funcionaban a 1,8 V.
En general, aquí es donde terminan todas las diferencias entre DDR2 y DDR. Al principio, los módulos DDR2 en la dirección negativa se caracterizaban por altas latencias, por lo que perdieron rendimiento frente a los módulos DDR con la misma frecuencia. Sin embargo, la situación pronto volvió a la normalidad: los fabricantes redujeron la latencia y lanzaron juegos de RAM más rápidos. La frecuencia máxima de DDR2 alcanzó la marca de 1300 MHz efectivos.
Posición clave diferente para módulos DDR, DDR2 y DDR3
La transición de DDR2 a DDR3 utilizó el mismo enfoque que la transición de DDR a DDR2. Por supuesto, se conservó la transmisión de datos en ambos extremos de la señal del reloj y se duplicó el ancho de banda teórico. Los módulos DDR3 conservaron la arquitectura 2 n -prefetch y recibieron una precarga de 8 bits (DDR2 tenía 4 bits). Al mismo tiempo, el neumático interior se ha vuelto ocho veces más grande que el exterior. Por eso, una vez más, al cambiar generaciones de memoria, sus tiempos aumentaron. El voltaje operativo nominal para DDR3 se ha reducido a 1,5 V, lo que hace que los módulos sean más eficientes desde el punto de vista energético. Tenga en cuenta que, además de DDR3, hay memoria DDR3L (la letra L significa Baja), que funciona con un voltaje reducido a 1,35 V. También vale la pena señalar que los módulos DDR3 no eran ni física ni eléctricamente compatibles con ninguna de las generaciones de memoria anteriores.
Por supuesto, los chips DDR3 han recibido soporte para algunas tecnologías nuevas: por ejemplo, calibración de señal automática y terminación de señal dinámica. Sin embargo, en general, todos los cambios son predominantemente cuantitativos.
DDR4: la próxima evolución
Finalmente, llegamos a un nuevo tipo de memoria DDR4. La Asociación JEDEC comenzó a desarrollar el estándar en 2005, pero recién en la primavera de este año salieron a la venta los primeros dispositivos. Según un comunicado de prensa de JEDEC, durante el desarrollo, los ingenieros intentaron lograr el mayor rendimiento y confiabilidad, mientras aumentaban la eficiencia energética de los nuevos módulos. Bueno, escuchamos esto cada vez. Veamos qué cambios específicos recibió la memoria DDR4 en comparación con DDR3.
En esta imagen, puede seguir la evolución de la tecnología DDR: cómo han cambiado los indicadores de voltaje, frecuencia y capacitancia
Uno de los primeros prototipos DDR4. Por extraño que parezca, estos son módulos portátiles
Como ejemplo, considere un chip DDR4 de 8 GB con un bus de datos de 4 bits de ancho. Tal dispositivo contiene 4 bancos de 4 bancos cada uno. Dentro de cada banco hay 131.072 (217) filas de 512 bytes cada una. A modo de comparación, podemos citar las características de una solución DDR3 similar. Tal chip contiene 8 bancos independientes. Cada banco contiene 65 536 (2 16) líneas y cada línea contiene 2048 bytes. Como puede ver, la longitud de cada línea del chip DDR4 es cuatro veces menor que la longitud de la línea DDR3. Esto significa que DDR4 escanea bancos más rápido que DDR3. Al mismo tiempo, cambiar entre los mismos bancos también es mucho más rápido. Inmediatamente, notamos que para cada grupo de bancos se proporciona una elección independiente de operaciones (activación, lectura, escritura o regeneración), lo que permite aumentar la eficiencia y el ancho de banda de la memoria.
Principales ventajas de DDR4: bajo consumo de energía, alta frecuencia, gran cantidad de módulos de memoria
La gama de memoria DDR4 disponible en el mercado está aumentando gradualmente. Hasta la fecha, esta memoria solo es compatible con placas base basadas en el chipset Intel X99 y, en consecuencia, procesadores con nombre en código Haswell-E (zócalo LGA2011-v3). En realidad, el hecho de que la memoria DDR4 solo sea compatible con la plataforma Intel especificada ya significa que está destinada a las PC más productivas de la actualidad. Todas las placas base basadas en el chipset Intel X99 admiten hasta 64 GB de memoria DDR4 en modo de cuatro canales (siempre que la placa tenga ocho ranuras de memoria). Hagamos una reserva de inmediato de que estamos hablando de memoria no ECC no registrada (UDIMM). El hecho es que en algunas placas con el chipset Intel X99, se implementa el soporte para procesadores de servidor de la familia Intel Xeon E5 v.3 (que tienen el mismo zócalo LGA2011-v3 y la misma arquitectura de procesador). En este caso, se admite memoria ECC, tanto registrada (RDIMM) como no registrada (UDIMM), y la cantidad máxima de memoria ya es de 128 GB. Sin embargo, no consideraremos la memoria del servidor en este artículo, y en el futuro entenderemos la memoria DDR4 como memoria no registrada sin ECC.
En cuanto a la capacidad de los módulos de memoria DDR4, hay a la venta módulos de 4 GB (son los más comunes) y módulos de 8 GB. La memoria DDR4 sale a la venta tanto en forma de módulos individuales como en forma de kits que constan de dos, cuatro e incluso ocho módulos. Pero los más comunes son conjuntos de cuatro módulos de memoria (conjuntos de cuatro canales). En consecuencia, la capacidad total de dicho kit puede ser de 16 o 32 GB. Los más comunes en el mercado hoy en día son los kits de memoria de cuatro canales con una capacidad total de 16 GB, es decir, conjuntos de cuatro módulos de memoria con una capacidad de 4 GB cada módulo.
La frecuencia mínima de memoria DDR4 proporcionada por el estándar es de 1066 MHz. En consecuencia, la frecuencia efectiva en este caso es de 2133 MHz (memoria DDR4-2133) y el rendimiento es de 17056 MB / s (en modo de un solo canal). La frecuencia máxima de memoria que proporciona el estándar es de 2133 MHz, su frecuencia efectiva en este caso es de 4266 MHz (memoria DDR4-4266), y el ancho de banda es de 34128 MB/s (en modo monocanal). Es cierto que la frecuencia de 2133/4266 MHz es una reserva para el futuro, mientras no haya tal memoria a la venta. En realidad, hay memoria en el mercado hoy en día con una frecuencia efectiva de 2133 MHz a 3000 MHz, y parece que solo la memoria DDR4-2133 está estandarizada y se implementa una memoria más rápida a través de perfiles XMP.
Como regla general, los módulos de memoria DDR4 más caros y rápidos están equipados con disipadores de calor que no llevan ninguna carga semántica, excepto para atraer la atención de los usuarios. Los disipadores de calor en los módulos de memoria son puramente decorativos y en gran medida inútiles, ya que los chips de memoria simplemente no se calientan lo suficiente como para requerir disipadores de calor. No seamos infundados y confirmemos con hechos lo dicho. Para demostrar la inutilidad de los disipadores de calor en los módulos de memoria, utilizamos un pirómetro, que nos permite determinar de forma remota los cambios de temperatura. Para la prueba, se utilizó un módulo de memoria DDR4-2133 (15-15-15) sin disipador de calor, el voltaje de suministro fue de 1,2 V. En modo inactivo, la temperatura de los chips de memoria fue de 31,2 ° C, y al cargar la memoria usando la memoria de prueba de estrés Stress System en la utilidad AIDA64, la temperatura de los chips de memoria aumentó a 35.5 °C. Cuando la misma memoria fue overclockeada a 2400 MHz y el voltaje de suministro fue de 1,35 V, la temperatura de los chips de memoria en modo inactivo fue de 32,7 °C, y cuando se cargó la memoria, aumentó a 38,1 °C. Está claro que a tales temperaturas los radiadores simplemente no tienen sentido. Además, todos los módulos de memoria DDR4 de 4 GB son de un solo lado, lo que significa que los chips de memoria están ubicados en un lado del módulo. Parecería que si pegas el radiador, solo en un lado. Sin embargo, los disipadores de calor en dichos módulos de memoria siempre están en ambos lados; es más hermoso de esa manera.
Ahora sobre el costo. Como primera aproximación, la memoria DDR4 cuesta alrededor de 1 mil rublos por 1 GB. Es decir, un módulo de memoria de 4 GB cuesta alrededor de 4 mil rublos y un módulo de memoria de 8 GB cuesta 8 mil rublos. Sin embargo, tenga en cuenta que los disipadores de calor decorativos y una frecuencia de funcionamiento anunciada más alta conducen a un aumento en el costo de la memoria. Es decir, un módulo de memoria DDR4-3000 será más caro que un módulo de memoria DDR4-2133 (con la misma capacidad).
Serie de rendimiento AMD Radeon R7 (R744G2133U1S)
Por extraño que parezca, AMD produce kits de memoria DDR4 que actualmente solo son compatibles con los procesadores Intel. Sin embargo, esto se mantiene modestamente en silencio y, por lo tanto, no es posible encontrar ninguna información técnica sobre la memoria DDR4 allí. Al parecer, el orgullo no permite publicitar este hecho, pero la empresa tampoco quiere renunciar a ganar dinero.
Según nuestra información, AMD ofrece actualmente dos kits de memoria DDR4 de cuatro canales que difieren solo en la capacidad: kits de cuatro módulos con una capacidad total de 32 GB (R748G2133U2S) y kits de cuatro módulos con una capacidad total de 16 GB (R744G2133U1S) . Para ambos conjuntos, la frecuencia de la memoria es de 2133 MHz y los tiempos son 15-15-15-36.
A continuación, veremos el kit de memoria AMD Radeon R7 Performance de 4 módulos con una capacidad total de 16 GB (R744G2133U1S). Como ya se señaló, los módulos de memoria AMD R744G2133U1S tienen una frecuencia de 2133 MHz y tiempos de 15-15-15-36, y el voltaje de suministro es de 1,2 V (este es el valor estándar).
La frecuencia de memoria declarada no es alta (este es el valor mínimo para DDR4), pero es probable que esta memoria pueda funcionar a una frecuencia más alta.
Los módulos de memoria están equipados con disipadores de calor de color gris oscuro, que son dos placas de metal pegadas a cada lado del módulo. Al mismo tiempo, los módulos en sí son de un solo lado, es decir, los chips de memoria están ubicados en un solo lado.
En nuestro banco de pruebas con la configuración BIOS UEFI predeterminada, la memoria AMD Radeon R7 Performance Series (R744G2133U1S) terminó a 2133 MHz con tiempos de 15-15-15-36, es decir, exactamente como debería ser.
Además, resultó que la memoria puede funcionar a una frecuencia de 2400 MHz. Al iniciar la memoria en esta frecuencia, automáticamente se configuran los tiempos 18-18-18-40, sin embargo, a una frecuencia de 2400 MHz, esta memoria también puede funcionar con los tiempos 18-11-11-36.
Los siguientes son los resultados de la prueba AIDA64 para el kit de memoria AMD Radeon R7 Performance Series (R744G2133U1S) con la configuración predeterminada (DDR4-2133; 15-15-15-36) y estado overclockeado (DDR4-2400; 18-11-11-36) .
Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC
El kit de memoria de cuatro canales Geil GPR416GB3000C16QC pertenece a la . Se trata de cuatro módulos de memoria DDR4-3000 con una capacidad total de 16 GB (4×4 GB). Los módulos de memoria están equipados con disipadores de calor de color burdeos. Los módulos de memoria en sí mismos son unilaterales, es decir, todos los chips de memoria están ubicados en ellos desde un lado. En general, cabe señalar que los disipadores de calor en la memoria no se ven impresionantes, digamos. El grosor de las placas de las que está hecho el radiador es inferior a 1 mm. La altura del módulo de memoria con disipador de calor es de 47 mm.
De acuerdo con la información en el sitio web del fabricante, a una frecuencia de 3000 MHz, los módulos de memoria Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC pueden funcionar con tiempos de 16-16-16-36 a una tensión de alimentación de 1,35 V. Además, este modo de funcionamiento del módulos de memoria se proporciona cuando el perfil XMP está activado.
Tenga en cuenta que la serie Geil Evo Potenza de memoria Quad Channel también incluye kits de memoria DDR4-2133/2400/2666/2800, así como memoria DDR4-3200 más rápida. Los kits de memoria de cuatro canales Geil Evo Potenza DDR4-3000 también pueden ser diferentes: por ejemplo, además de los kits de 16 GB, hay kits con una capacidad total de 32 GB. Los tiempos de memoria también pueden diferir: 15-15-15-35 o 16-16-16-36. Dados los dos volúmenes posibles y los dos conjuntos de tiempos, la serie Geil Evo Potenza DDR4-3000 incluye cuatro conjuntos de memoria:
- GPR416GB3000C15QC: tiempos 15-15-15-35, total 16 GB;
- GPR416GB3000C16QC: tiempos 16-16-16-36, total 16 GB
- GPR432GB3000C15QC: tiempos 15-15-15-35, total 32 GB;
- GPR432GB3000C16QC: tiempos 16-16-16-36, total 32 GB.
Ahora hablemos de las dificultades que encontramos al probar la memoria Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC.
En primer lugar, observamos que la frecuencia declarada de 3000 MHz con tiempos de 16-16-16-36 y una tensión de alimentación de 1,35 V son las características del perfil XMP. Y, por supuesto, no es un hecho que este perfil funcione en cualquier placa y que la memoria generalmente se "arranque" con esa frecuencia. Como muestra la práctica, hay placas basadas en el chipset Intel X99 que, con la configuración predeterminada del BIOS UEFI, intentan activar inmediatamente el perfil XMP y hacer que la memoria funcione con las características especificadas. Con tales placas, este kit de memoria tendrá grandes problemas y, lo más probable, simplemente no funcionará. En particular, probamos este kit de memoria en tres placas (Gigabyte GA X99-Gaming G1 WIFI, Asus Rampage V Extreme y ASRock Fatal1ty X99X Killer) y resultó que la placa ASRock Fatal1ty X99X Killer no es compatible con esta memoria en absoluto.
Pero en las placas Gigabyte GA X99-Gaming G1 WIFI y Asus Rampage V Extreme con la configuración predeterminada de UEFI BIOS, la memoria Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC se definió de manera diferente.
Entonces, en el caso de la placa Asus Rampage V Extreme, el kit de memoria Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC se define como DDR4-2400 con tiempos 17-15-15-35 (voltaje de alimentación 1.2 V).
En el caso de la placa Gigabyte GA X99-Gaming G1 WIFI, el mismo kit de memoria se definió como DDR4-2400, pero con tiempos 16-16-16-35.
Ahora sobre lo más importante. En ninguna de nuestras placas de prueba, la memoria Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC pudo funcionar en la configuración definida en el perfil XMP, es decir, a una frecuencia efectiva de 3000 MHz con tiempos de 16-16-16-36 y en un suministro voltaje de 1,35 V. Si configura manualmente la frecuencia a 3000 MHz en el UEFI BIOS, los tiempos a 16-16-16-36 y el voltaje de suministro a 1,35 V, el sistema no se iniciará. También intentamos "endurecer" los tiempos para 3000 MHz, pero todo fue en vano. A esta frecuencia, la memoria se negaba a funcionar.
A través de prueba y error, se descubrió que nuestro kit de memoria Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC puede operar a una frecuencia máxima de 2666 MHz, no superior. De hecho, la frecuencia declarada de 3000 MHz resultó ser simplemente un truco. Sin embargo, no haremos declaraciones tan fuertes en absoluto y aclararemos que específicamente nuestro kit de memoria Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC con nuestro procesador Intel Core i7-5960X y nuestra placa Gigabyte GA X99-Gaming G1 WIFI no cumple con las características declaradas.
Para 2666 MHz, los mejores tiempos que pudimos encontrar fueron: 13-14-14-30. Con tales tiempos a una frecuencia de 2667 MHz, todo funciona de manera estable, sin congelarse.
Los siguientes son resultados de pruebas en el programa AIDA64 del kit de módulo de memoria Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC con configuración predeterminada (DDR4-2400; 16-16-16-35) y overclocking (DDR4-2667; 13-14-14-30).
Kingston HyperX Predator HX424C12PBK4/16
La memoria Kingston HyperX Predator HX424C12PBK4/16 pertenece a la serie de memorias para overclocking Kingston HyperX Predator.
Como se desprende de la información, la empresa produce una amplia gama de kits de memoria DDR4. La capacidad de los kits puede ser de 16, 32 y 64 GB, la cantidad de módulos en un kit puede ser de cuatro u ocho y la capacidad de un módulo puede ser de 4 u 8 GB. Al mismo tiempo, la empresa produce kits de memoria DDR4 con una frecuencia efectiva de 2133, 2400, 2666, 2800 y 3000 MHz.
El sitio web de Kingston está disponible para descifrar el nombre del módulo de memoria. Con esta información, puede comprender que la siguiente información está encriptada en el nombre del módulo HX424C12PBK4 / 16: este es un módulo de memoria UDIMM DDR4-2400 con latencia CAS 12. La memoria pertenece a la serie HyperX Predator, está equipada con un disipador de calor negro, y la capacidad total de un conjunto de cuatro módulos es de 16 GB.
En nuestro banco de pruebas con la configuración BIOS UEFI predeterminada, la memoria Kingston HyperX Predator HX424C12PBK4/16 terminó a 2133 MHz con tiempos 15-15-15-36 y una tensión de alimentación de 1,2 V.
La frecuencia prometida de 2400 MHz con tiempos 12-13-13-35 ya está implementada a través del perfil XMP. Además, existen dos perfiles XMP para la memoria Kingston HyperX Predator HX424C12PBK4/16: uno para una frecuencia de 2400 MHz con tiempos 12-13-13-35 a una tensión de alimentación de 1,4 V, y el segundo? para una frecuencia de 2133 MHz, pero con temporizaciones 13-13-13-36 y con una tensión de alimentación de 1,2 V.
Cuando se activa el primer perfil XMP en el UEFI BIOS (para una frecuencia de 2400 MHz), la memoria, como debería, se inicia a una frecuencia de 2400 MHz con tiempos 12-13-13-35 a una tensión de alimentación de 1,4 V. Sin embargo, manualmente para una frecuencia de 2400 MHz puede elegir tiempos más cortos. En particular, en nuestro banco de pruebas, la memoria funcionó con tiempos de 12-12-12-35 (a una frecuencia de 2400 MHz).
Pero no logramos lanzar la memoria Kingston HyperX Predator HX424C12PBK4/16 a una frecuencia más alta (2600 MHz), incluso con tiempos toscos.
AData XPG AX4U2400W4G16-QRZ
Una empresa de datos en dos series: Consumer (usuario) y Gaming (juego). También hay memoria de servidor, pero no la consideramos ahora. El kit de memoria pertenece a la serie Gaming.
En este caso, no debes tomarte en serio la palabra Gaming. Esto es solo un posicionamiento de marketing de la memoria, que tiene como objetivo llamar la atención. La memoria de la serie Gaming se diferencia de la serie Consumer habitual en la presencia de disipadores térmicos decorativos (los disipadores térmicos no tienen otro significado semántico) y en el hecho de que la memoria de la serie Gaming es más rápida.
La serie AData Gaming tiene una gran cantidad de kits de memoria diferentes. Además, cualquier módulo de memoria de la serie AData Gaming se puede comprar por separado (un módulo), en un conjunto de dos módulos y en un conjunto de cuatro módulos. Además, están disponibles tanto módulos de 4 GB como módulos de 8 GB. Es con esto que el abanico de posibles kits de memoria AData Gaming DDR4 es muy amplio.
Sin embargo, no es difícil entender este surtido. Hay memoria DDR4-2133 con tiempos 13-13-13 y 15-15-15. Teniendo en cuenta la capacidad posible de los módulos (4 y 8 GB), así como diferentes conjuntos de conjuntos (uno, dos y cuatro módulos), obtenemos que hay doce opciones solo para la memoria DDR4-2133.
Además, hay memoria DDR4-2400 con tiempos 16-16-16, memoria DDR4-2666 con tiempos 16-16-16, memoria DDR4-2800 con tiempos 17-17-17 y memoria DDR4-3000 con tiempos 16-16-16. tiempos. . Nuevamente, cualquier memoria se puede representar mediante conjuntos de uno, dos y cuatro módulos, y la capacidad del módulo puede ser de 4 u 8 GB.
También hay una memoria DDR4-3200/3300/3333 más rápida. Pero para esta memoria, los tiempos son solo 16-16-16 y los módulos tienen una capacidad de 4 GB.
A continuación, veremos un conjunto de cuatro módulos de memoria AData XPG AX4U2400W4G16-QRZ. Como puede adivinar por el nombre, estamos hablando de módulos de memoria DDR4-2400 con tiempos 16-16-16. La tensión de alimentación de estos módulos de memoria es de 1,2 V.
En nuestro banco de pruebas con la configuración BIOS UEFI predeterminada, la memoria AData XPG AX4U2400W4G16-QRZ terminó a 2133 MHz con tiempos de 15-15-15-36 y con un voltaje de suministro de 1,2 V.
La frecuencia prometida de 2400 MHz con tiempos 16-16-16 ya está implementada a través del perfil XMP.
Cuando el perfil XMP está activado en el UEFI BIOS, la memoria, como debería, se inicia a una frecuencia de 2400 MHz con tiempos de 16-16-16-39.
No pudimos iniciar la memoria AData XPG AX4U2400W4G16-QRZ a una frecuencia más alta. Sin embargo, a una frecuencia de 2400 MHz, puede obtener mejores tiempos. Los mejores tiempos que pudimos encontrar para esta memoria a 2400 MHz fueron 13-12-12-36.
AData AD4U2133W4G15-B
Si el kit AData anterior pertenecía a la serie de juegos, entonces el kit de memoria pertenece a la serie Consumer, es decir, a la serie de memoria DDR4 más simple.
La serie Consumer incluye dos tipos de módulos de memoria DDR4-2133: con una capacidad de 4 GB y con una capacidad de 8 GB. En el primer caso, los módulos se denominan AData AD4U2133W4G15-B, y en el segundo, AData AD4U2133W8G15-B. Todas las demás características de los módulos son exactamente iguales. La frecuencia de memoria efectiva es de 2133 MHz, los tiempos son 15-15-15-36 y el voltaje de suministro es de 1,2 V. Los módulos de memoria con una capacidad de 4 GB son de un solo lado y se basan en chips de memoria SKhynix H5AN4G8NMFR (8 chips de 512 MB cada uno).
Tenga en cuenta que no hay disipadores de calor en los módulos de memoria AData AD4U2133W8G15-B.
En nuestro banco de pruebas con la configuración BIOS UEFI por defecto, la memoria AData AD4U2133W8G15-B arrancó sin problemas cumpliendo totalmente con la especificación, es decir, a una frecuencia de 2133 MHz con tiempos de 15-15-15-36 y a un tensión de alimentación de 1,2 V.
Además, resultó que esta memoria puede funcionar a una frecuencia de 2400 MHz. Cuando se establece esta frecuencia, los tiempos en modo automático se establecen en 16-17-17-40. Los mejores tiempos que logramos encontrar para esta memoria sin perder estabilidad en funcionamiento fueron 14-14-14-36.
Pruebas
Entonces, en total, cinco conjuntos de memoria DDR4 de cuatro canales participaron en nuestras pruebas, cada uno de los cuales se probó en dos modos operativos: con la configuración predeterminada y con la configuración correspondiente al overclocking máximo.
| Memoria | frecuencia | tiempos | |
| AData AD4U2133W8G15-B | defecto | 2133 | 15-15-15-36 |
| overclocking | 2400 | 14-14-14-36 | |
| AData XPG AX4U2400W4G16-QRZ | defecto | 2133 | 15-15-15-36 |
| overclocking | 2400 | 13-12-12-36 | |
| Kingston HyperX Predator HX424C12PBK4/16 | defecto | 2133 | 15-15-15-36 |
| overclocking | 2400 | 12-12-12-35 | |
| Serie de rendimiento AMD Radeon R7 (R744G2133U1S) | defecto | 2133 | 15-15-15-36 |
| overclocking | 2400 | 18-11-11-36 | |
| Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC | defecto | 2400 | 16-16-16-36 |
| overclocking | 2667 | 13-14-14-30 | |
En primer lugar, observamos que todos los kits de memoria, con la excepción de Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC, se definieron de forma predeterminada como memoria DDR4-2133 con tiempos 15-15-15-36. En todas nuestras pruebas, todos los kits en modo DDR4-2133 con tiempos de 15-15-15-36 dieron casi los mismos resultados. Y para no saturar el artículo con datos innecesarios, en el futuro simplemente hablaremos de la memoria DDR4-2133 con los tiempos 15-15-15-36, es decir, cualquier kit con la configuración predeterminada, con la excepción de Geil Evo. Memoria Potenza GPR416GB3000C16QC.
Para la prueba, utilizamos el soporte de la siguiente configuración:
- Procesador Intel Core i7-5960X;
- placa base Gigabyte X99-Gaming G1 WIFI;
- conjunto de chips Intel X99;
- Intel SSD serie 520 (240 GB):
- sistema operativo Windows 8.1 (64 bits).
El rendimiento se midió utilizando aplicaciones reales de nuestro script de prueba iXBT Application Benchmark 2015. El uso de pruebas sintéticas, que tanto gustan a los fabricantes de memorias, lo consideramos en este caso simplemente sin sentido, ya que los "loros" que emiten no tienen nada que ver con la realidad.
Del paquete iXBT Application Benchmark 2015, excluimos deliberadamente las pruebas cuya velocidad de ejecución depende del subsistema de almacenamiento de datos (velocidad de copia, velocidad de instalación y desinstalación de aplicaciones, etc.). Además, se eliminó la prueba Adobe After Effects CC 2014.1.1 (Prueba n.º 2). El caso es que para esta prueba, en el caso de utilizar un procesador Intel Core i7-5960X de 8 núcleos (16 núcleos lógicos), lo recomendable es utilizar no 16, sino 32 GB de memoria. De lo contrario, la prueba se ejecutará sin tecnología de multiprocesamiento o deberá reducir enérgicamente la cantidad de núcleos de procesador utilizados. En una palabra, es más fácil excluir esta prueba, especialmente porque la metodología tiene otra prueba usando Adobe After Effects CC 2014.1.1. Además, excluimos las pruebas que tienen un gran error de medición y requieren una gran cantidad de repeticiones para obtener un resultado confiable. Al probar la memoria, cuando cambiar la frecuencia y los tiempos conduce solo a un escaso aumento en el rendimiento, es muy importante utilizar pruebas en las que el resultado tenga una muy buena repetibilidad (con un pequeño error de medición).
Como resultado, dejamos las siguientes pruebas:
- MediaCoder x64 0.8.33.5680,
- adobe estreno pro cc 2014.1,
- Adobe After Effects CC 2014.1.1,
- Productor Photodex ProShow 6.0.3410,
- Adobe Photoshop CC 2014.2.1,
- ACDSee Pro 8,
- adobe illustrator cc 2014.1.1,
- adobe audición cc 2014.2,
- WinRAR 5.11, archivo,
- WinRAR 5.11, descomprimiendo.
Entonces, comencemos con una prueba de transcodificación de video usando la aplicación MediaCoder x64 0.8.33.5680. Como puede ver, esta tarea no es muy sensible a la velocidad de la memoria: el peor resultado difiere del mejor en solo un 6%. Es interesante notar que la memoria Geil Evo Potenza a 2667 MHz con tiempos 13-14-14-30 demuestra el mismo resultado que la memoria Kingston HyperX Predator a 2400 MHz con tiempos 12-12-12-35. Y a 2400 MHz (con tiempos de 16-16-16-35), la memoria Geil Evo Potenza funciona de manera muy similar a la memoria DDR4-2133.
En Adobe Premiere Pro CC 2014.1, obtenemos un resultado similar. La diferencia en el tiempo de ejecución de la prueba entre las memorias DDR4-2133 y DDR4-2400 es de aproximadamente un 5 %. Y en esta prueba, la memoria Geil Evo Potenza a 2667 MHz con tiempos de 13-14-14-30 demuestra el mismo resultado que cualquier otra memoria en modo DDR4-2400. Y a 2400 MHz (con tiempos de 16-16-16-35), la memoria Geil Evo Potenza funciona de manera muy similar a la memoria DDR4-2133.
En una prueba basada en Adobe After Effects CC 2014.1.1, la diferencia entre el peor y el mejor resultado no supera el 5%. Una vez más, la memoria Geil Evo Potenza a 2667 MHz con tiempos de 13-14-14-30 demuestra el mismo resultado que cualquier otra memoria en modo DDR4-2400. Y a 2400 MHz (con tiempos de 16-16-16-35), la memoria Geil Evo Potenza funciona de manera muy similar a la memoria DDR4-2133.
Photodex ProShow Producer 6.0.3410 es ligeramente más sensible a la velocidad de la memoria y, en nuestra prueba, la diferencia entre los peores y los mejores resultados es de aproximadamente un 6 %. Pero nuevamente, la memoria Geil Evo Potenza más rápida a 2667 MHz funciona como cualquier otra memoria DDR4-2400, y a 2400 MHz los resultados de la memoria Geil Evo Potenza son comparables a los de DDR4-2133.
Adobe Photoshop CC 2014.2.1 resultó ser insensible a la velocidad de la memoria. En nuestra prueba, la diferencia entre los peores y los mejores resultados fue de alrededor del 3,5 %. Y nuevamente, la memoria "extraña" Geil Evo Potenza a 2667 MHz funciona casi igual que cualquier otra memoria DDR4-2400, y a 2400 MHz los resultados de la memoria Geil Evo Potenza son comparables a los de DDR4-2133.
En la prueba con la aplicación ACDSee Pro 8, la dependencia de la velocidad de la memoria es muy insignificante: la diferencia entre los peores y los mejores resultados fue de alrededor del 1,5 %. La memoria Geil Evo Potenza no nos sorprendió con nada agradable: a 2667 MHz funciona casi igual que cualquier otra memoria DDR4-2400, y a 2400 MHz los resultados de la memoria Geil Evo Potenza son incluso ligeramente peores que los de DDR4-2133.
En la prueba con Adobe Illustrator CC 2014.1.1, nada depende en absoluto de la velocidad de la memoria. Aquí, para todos los conjuntos de memoria en varios modos de operación, se obtienen los mismos resultados.
Pero en la prueba con la aplicación Adobe Audition CC 2014.2, la dependencia de la velocidad de la memoria, aunque insignificante, está ahí: la diferencia entre el peor y el mejor resultado fue del 4,8%. Para la memoria Geil Evo Potenza, como en otros casos, obtenemos lo siguiente: a una frecuencia de 2667 MHz, se comporta un poco peor que cualquier otra memoria DDR4-2400, y a una frecuencia de 2400 MHz, los resultados de la Geil La memoria Evo Potenza son aproximadamente los mismos que los resultados de DDR4-2133.
En la prueba de archivo con la aplicación WinRAR 5.11, la diferencia entre el peor y el mejor resultado fue del 5,6 %. La memoria Geil Evo Potenza a 2667 MHz funciona ligeramente peor que cualquier otra memoria DDR4-2400, y a 2400 MHz los resultados de la memoria Geil Evo Potenza son casi iguales a los resultados de DDR4-2133.
En la prueba de descompresión con la aplicación WinRAR 5.11, la diferencia entre el peor y el mejor resultado fue del 4%. Y como siempre, la memoria Geil Evo Potenza a 2667 MHz muestra resultados típicos de memoria DDR4-2400, y a 2400 MHz muestra resultados típicos de DDR4-2133.
recomendaciones
En realidad, las conclusiones que se pueden sacar de nuestras pruebas son bastante predecibles. La memoria DDR4 de alta velocidad no tiene mucho sentido hoy en día, y la variante DDR4-2133 es suficiente para la mayoría de las aplicaciones de consumo. El aumento máximo de rendimiento que se puede obtener mediante el uso de memoria DDR4-2400 de alta velocidad en lugar de DDR4-2133 estándar es de aproximadamente un 5 %. Y más aún, no encontramos ninguna diferencia significativa entre módulos/kits de diferentes fabricantes.
Además, resultó que la memoria de alta velocidad, que se vende bajo la apariencia de DDR4-2400, es en realidad una versión overclockeada de la memoria DDR4-2133, es decir, el modo de operación DDR4-2400 se implementa solo a través de XMP. perfil. Y lo más probable es que, habiendo comprado la memoria DDR4-2133 más común, pueda hacer DDR4-2400 con ella. Entonces, ¿tiene sentido pagar de más?
La memoria DDR4-3000 (Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC) resultó ser una memoria DDR4-2400 y simplemente se negó a funcionar a la velocidad prometida de 3000 MHz. En general, la memoria Geil Evo Potenza GPR416GB3000C16QC es muy extraña. En el modo DDR4-2667 (la frecuencia máxima a la que podía ejecutarse), funciona como la memoria DDR4-2400 y en el modo DDR4-2400, como la memoria DDR4-2133. En realidad, este es un ejemplo para aquellos que piensan que la memoria de alta velocidad es genial.
En cuanto a varios disipadores de fantasía en módulos de memoria de alta velocidad, como ya hemos dicho, esto no es más que un elemento decorativo. La memoria DDR4 moderna no necesita disipadores de calor, incluso con un voltaje de suministro aumentado a 1,4 V.
