Transistor con punto naranja y rojo. El transistor KT315 es un milagro de la electrónica soviética. Referencia de transistor npn de alta frecuencia bipolar BC847C

Quizás no exista ningún dispositivo electrónico más o menos complejo producido en la URSS durante los años setenta, ochenta y noventa, en cuyo circuito no se utilizaría el transistor KT315. No ha perdido popularidad hasta el día de hoy.

La designación utiliza la letra K, que significa "silicio", como la mayoría de los dispositivos semiconductores fabricados desde entonces. El número "3" significa que el transistor KT315 pertenece al grupo de dispositivos de banda ancha de bajo consumo.

La caja de plástico no implicaba alta potencia, pero era barata.

El transistor KT315 se produjo en dos versiones, plano (naranja o amarillo) y cilíndrico (negro).

Para que sea más conveniente determinar cómo montarlo, se hace un bisel en su lado "frontal" en una versión plana, el colector está en el medio, la base está a la izquierda, el colector está a la derecha.

El transistor negro tenía un corte plano, si coloca el transistor hacia usted, entonces el emisor está a la derecha, el colector está a la izquierda y la base está en el medio.

La marca consistía en una letra, según el voltaje de suministro permitido, de 15 a 60 voltios. La potencia también depende de la letra, puede llegar a 150 mW, y esto es con dimensiones microscópicas para esos tiempos: el ancho es siete, la altura seis y el grosor es inferior a tres milímetros.

El transistor KT315 es de alta frecuencia, esto explica la amplitud de su aplicación. hasta 250 MHz garantiza su funcionamiento estable en circuitos de radio de receptores y transmisores, así como amplificadores de rango.

Conductividad - inversa, n-p-n. Para un par, al utilizar un circuito de amplificación push-pull, se creó el KT361, con conducción directa. Exteriormente, estos "hermanos gemelos" prácticamente no difieren, solo la presencia de dos marcas negras indica conductividad p-n-p. Otra opción de marcado, la letra está ubicada exactamente en el medio del estuche, y no en el borde.

A pesar de todas sus ventajas, el transistor KT315 también tiene una desventaja. Sus terminales son planos, delgados y se rompen con mucha facilidad, por lo que la instalación debe hacerse con mucho cuidado. Sin embargo, incluso después de estropear la pieza, muchos radioaficionados lograron arreglarlo aserrando un poco el cuerpo y "hundiendo" el cable, aunque esto es difícil y no tenía ningún punto especial.

El caso es tan peculiar que indica con precisión el origen soviético del KT315. Puede encontrar un análogo para él, por ejemplo, BC546V o 2N9014, de importaciones, KT503, KT342 o KT3102, de nuestros transistores, pero el bajo costo récord hace que tales trucos no tengan sentido.

Se han producido miles de millones de KT315 y, aunque en nuestro tiempo hay microcircuitos en los que se construyen decenas y cientos de estos dispositivos semiconductores, a veces todavía se usan para ensamblar circuitos auxiliares simples.

El transistor es el componente principal de cualquier circuito eléctrico. Es una especie de llave amplificadora. En el corazón de este dispositivo semiconductor se encuentra un cristal de silicio o germanio. Los transistores son unipolares y bipolares y, en consecuencia, de campo y bipolares. Según el tipo de conductividad, son de dos tipos: directa e inversa. Para los radioaficionados novatos, el principal problema es reconocer y decodificar la codificación de estos elementos. En nuestro artículo, consideraremos los principales tipos de registro de productos nacionales y extranjeros, y también analizaremos qué significa el marcado de transistores.

Tipos de grabación

Los fabricantes de transistores utilizan dos tipos principales de encriptación: marca de color y marca de código. Sin embargo, ni uno ni otro tienen estándares uniformes. Cada planta que produce dispositivos semiconductores (transistores, diodos, diodos zener, etc.) adopta su propio código y designaciones de color. Puede encontrar transistores del mismo grupo y tipo, fabricados por diferentes fábricas, y estarán etiquetados de manera diferente. O viceversa: los elementos serán diferentes y las designaciones en ellos serán idénticas. En tales casos, solo se pueden distinguir por características adicionales. Por ejemplo, por la longitud de los cables del emisor y del colector, o por el color de la superficie opuesta (o del extremo). El marcado no es diferente de las marcas en otros dispositivos. La situación es la misma con los elementos semiconductores de fabricación extranjera: cada fabricante utiliza sus propios tipos de designaciones.

Transistores en un paquete KT-26

Considere lo que significa el marcado de transistores producidos en el país. Este tipo de paquete es el más popular entre los fabricantes de semiconductores. Tiene la forma de un cilindro con un lado biselado, tres plomos que salen de la base inferior. En este caso, se utiliza el principio de marcado mixto, que contiene tanto símbolos de código como símbolos de color. Se aplica un punto de color en la base superior, que indica un grupo de transistores, y se aplica un símbolo de código o un punto de color, correspondiente al tipo de dispositivo, en el lado biselado. Además del tipo, se puede aplicar el año y mes de emisión.

Para designar un grupo, se utiliza la siguiente marca de color de transistores: el grupo A corresponde a un punto rojo oscuro, B - amarillo, C - verde oscuro, D - azul, D - azul, E - blanco, G - marrón oscuro, I - plata, K - naranja, L - tabaco claro, M - gris.

El tipo se designa con los siguientes símbolos y colores.

Marcado del año y mes de fabricación

De acuerdo con GOST 25486-82, se utilizan dos letras o una letra y un número para designar una fecha. El primer carácter corresponde al año y el segundo al mes. Este tipo de codificación se utiliza no solo para transistores, sino también para otros elementos semiconductores domésticos. En los instrumentos extranjeros, la fecha se indica con cuatro dígitos, los dos primeros corresponden al año y el último al número de la semana. Considere lo que significa la marca de código de los transistores correspondientes a la fecha de fabricación. Año de emisión/símbolo: 1986 - U, 1987 - V, 1988 - W, 1989 - X, 1990 - A, 1991 - B, 1992 - C, 1993 - D, 1994 - E, 1995 - F, 1996 - H, 1997 - I, 1998 - K, 1999 - L, 2000 - M, etc. Mes de lanzamiento: los primeros nueve meses corresponden a los números del 1 al 9 (enero - 1, febrero - 2), y el último - al inicial letras de la palabra: octubre - Oh, noviembre es N, diciembre es D.

Transistores en una caja tipo KT-27

Es habitual aplicar un código alfanumérico o un cifrado que consta de formas geométricas en estos elementos semiconductores. Considere lo que significa la marca gráfica de los transistores.

KT972A - un rectángulo "mentiroso".
KT972B - dos rectángulos: el izquierdo se encuentra, el derecho está de pie.
KT973A - un cuadrado.
KT973B - dos cuadrados.
KT646A - un triángulo.
KT646B: círculo a la izquierda, triángulo a la derecha.

Además, también hay una marca del final del caso, que es opuesta a las conclusiones:

KT 814 - beige grisáceo;
KT 815 - lila-violeta o gris;
KT 816 - rosa roja;
KT 817 - gris verdoso;
KT 683 - púrpura;
KT9115 - azul.

Los transistores de la serie KT814-817 del grupo B solo se pueden marcar coloreando el extremo, sin aplicar un código simbólico.

Sistema europeo PRO-ELECTRON

El marcado de transistores y otros dispositivos semiconductores de fabricantes europeos se realiza de la siguiente manera. El código es una entrada simbólica. La primera letra significa el material semiconductor: silicio, germanio, etc. El silicio es el más común, corresponde a la letra B. El siguiente símbolo es el tipo de dispositivo. El siguiente es el número de serie del producto. Este número tiene varios rangos. Por ejemplo, si se indican números del 100 al 999, estos elementos se refieren a productos de uso general, y si van precedidos de una letra (Z10 - A99), estos semiconductores se consideran piezas especiales o industriales. Además, se puede agregar un símbolo de modificación de dispositivo adicional a la codificación general. Lo determina directamente el fabricante de elementos semiconductores.

Primer carácter (material): A - germanio, B - silicio, C - arseniuro de galio, R - sulfuro de cadmio. El segundo elemento significa el tipo de transistor: C - baja frecuencia de baja potencia; D - potente de baja frecuencia; F - alta frecuencia de baja potencia; G - varios dispositivos en un caso; L - potente de alta frecuencia; S - conmutación de baja potencia; U - conmutación potente.

Sistema estadounidense JEDEC

Los fabricantes estadounidenses de semiconductores utilizan una codificación de caracteres de cuatro elementos. El primer dígito significa el número de uniones pn: 1 - diodo; 2 - transistor 3 - tiristor; 4 - optoacoplador. La segunda letra representa el grupo. El tercer carácter es el elemento (rango de 100 a 9999). El cuarto carácter es una letra correspondiente a la modificación del dispositivo.

Sistema JIS japonés

Este sistema consta de símbolos y contiene cinco elementos. El primer dígito corresponde al tipo de dispositivo semiconductor: 0 - fotodiodo o fototransistor; 1 - diodo; 2 - transistor. El segundo elemento es la letra S, se coloca en todos los elementos. La siguiente letra corresponde al tipo de transistor: A - PNP de alta frecuencia; B - PNP de baja frecuencia; C - NPN de alta frecuencia; D - NPN de baja frecuencia; H - uniunión; J - campo con canal N; K - campo con canal P. A esto le sigue el número de serie del producto (10 - 9999). El último y quinto elemento es el dispositivo (a menudo puede estar ausente). A veces, también se aplica un sexto carácter: este es un índice adicional (letras N, M o S), lo que significa el requisito de cumplir con estándares especiales. En el sistema japonés, no se utiliza la marca de color de los transistores.

elementos SMD

La marca de los transistores SMD es solo simbólica. Debido al tamaño en miniatura de estos elementos, no se utiliza un código de colores. No existe un único estándar de cifrado para ellos. Cada planta de fabricación utiliza sus propios símbolos. El código alfanumérico en este caso puede contener de una a tres letras o números. Cada planta produce sus propias tablas de marcado para elementos semiconductores.

15.04.2018

Transistores n-p-n epitaxial-planares de silicio del tipo KT315 y KT315-1. Están destinados al uso en amplificadores de alta, media y baja frecuencia, se utilizan directamente en equipos radioelectrónicos fabricados para obra civil y para exportación. Los transistores KT315 y KT315-1 se fabrican en una caja de plástico con cables flexibles. El transistor KT315 se fabrica en el paquete KT-13. Posteriormente, KT315 comenzó a producirse en el paquete KT-26 (un análogo extranjero de TO92), los transistores en este paquete recibieron un "1" adicional en la designación, por ejemplo, KT315G1. La carcasa protege de manera confiable el cristal del transistor contra daños mecánicos y químicos. Los transistores KT3I5H y KT315H1 están diseñados para su uso en televisión en color. Los transistores KT315P y KT315R1 están diseñados para su uso en la grabadora de video "Electrónica - VM". Los transistores se fabrican en versión climática UHL y en versión única, aptos para el montaje de equipos tanto manual como automatizado.

El transistor KT315 fue producido por las siguientes empresas: Elektropribor, Fryazino, Kvazar, Kiev, Continent, Zelenodolsk, Quartzite, Ordzhonikidze, Elkor Production Association, Republic of Kabardino-Balkaria, Nalchik, NIIPP, Tomsk, PO "Electronics", Voronezh, en 1970, su producción también fue transferida a Polonia a la empresa Unitra CEMI.

Como resultado de las negociaciones en 1970, en términos de cooperación, la producción de transistores KT315 fue transferida a Polonia por la Asociación Voronezh "Electrónica". Para ello, se desmanteló por completo el taller en Voronezh, y en el menor tiempo posible, junto con un suministro de materiales y componentes, se transportó, montó y puso en marcha en Varsovia. Este centro de investigación y producción de productos electrónicos, establecido en 1970, era un fabricante de semiconductores en Polonia. Unitra CEMI finalmente quebró en 1990, dejando el mercado microelectrónico polaco abierto a empresas extranjeras. Sitio web del museo de la empresa Unitra CEMI: http://cemi.cba.pl/. Al final de la existencia de la URSS, el número total de transistores KT315 producidos superó los 7 mil millones.

El transistor KT315 es producido hasta el día de hoy por varias empresas: CJSC Kremniy, Bryansk, SKB Elkor, República de Kabardino-Balkaria, Nalchik, planta NIIPP, Tomsk. El transistor KT315-1 es producido por: Kremniy CJSC, Bryansk, Transistor Plant, Republic of Belarus, Minsk, Eleks JSC, Aleksandrov, Vladimir Region.

Un ejemplo de la designación de los transistores KT315 al realizar el pedido y en la documentación de diseño de otros productos: "Transistor KT315A ZhK.365.200 TU / 05", para transistores KT315-1: "Transistor KT315A1 ZhK.365.200 TU / 02".

Las breves características técnicas de los transistores KT315 y KT315-1 se presentan en la tabla 1.

Tabla 1 - Breves características técnicas de los transistores KT315 y KT315-1

Tipo	Estructura	P K máx , P K * t máx, mW	gr f, megahercio	UKBO máx., U КЭR*max, EN	U EBO máx , EN	I K máx , mamá	Yo KBO, uA	hora 21e, hora 21E*	CK, pF	r CE nosotros, Ohm	r b, Ohm	τ a, PD
KT315A1	n-p-n	150	≥250	25	6	100	≤0,5	20...90 (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315B1	n-p-n	150	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350 (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315В1	n-p-n	150	≥250	40	6	100	≤0,5	20...90 (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315G1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	50...350 (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315D1	n-p-n	150	≥250	40	6	100	≤0,5	20...90 (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315E1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	20...90 (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Zh1	n-p-n	100	≥250	15	6	100	≤0,5	30...250 (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315I1	n-p-n	100	≥250	60	6	100	≤0,5	30 (10V; 1mA)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315H1	n-p-n	150	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350 (10 V; 1 mA)	≤7	–	–	–
KT315R1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	150...350 (10 V; 1 mA)	≤7	–	–	–
KT315A	n-p-n	150 (250*)	≥250	25	6	100	≤0,5	30...120* (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315B	n-p-n	150 (250*)	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350* (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤500
KT315V	n-p-n	150 (250*)	≥250	40	6	100	≤0,5	30...120* (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤500
KT315G	n-p-n	150 (250*)	≥250	35	6	100	≤0,5	50...350* (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤500
KT315D	n-p-n	150 (250*)	≥250	40* (10k)	6	100	≤0,6	20...90 (10 V; 1 mA)	≤7	≤30	≤40	≤1000
KT315E	n-p-n	150 (250*)	≥250	35* (10k)	6	100	≤0,6	50...350* (10 V; 1 mA)	≤7	≤30	≤40	≤1000
KT315Zh	n-p-n	100	≥250	20* (10k)	6	50	≤0,6	30...250* (10 V; 1 mA)	≤7	≤25	–	≤800
KT315I	n-p-n	100	≥250	60* (10k)	6	50	≤0,6	≥30* (10V; 1mA)	≤7	≤45	–	≤950
KT315N	n-p-n	150	≥250	35* (10k)	6	100	≤0,6	50...350* (10 V; 1 mA)	≤7	≤5,5	–	≤1000
KT315R	n-p-n	150	≥250	35* (10k)	6	100	≤0,5	150...350* (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	–	≤500

Nota:
1. I KBO - corriente inversa del colector - corriente a través de la unión del colector a un voltaje inverso colector-base dado y una salida de emisor abierto, medida en U KB = 10 V;
2. I K max: la corriente de colector de CC máxima permitida;
3. U KBO max es el voltaje de ruptura de la base del colector a una corriente inversa del colector dada y un circuito de emisor abierto;
4. U EBO max - voltaje de ruptura emisor-base a una corriente inversa de emisor dada y un circuito de colector abierto;
5. U КЭR max – voltaje de ruptura colector-emisor a una corriente de colector dada y una resistencia (final) dada en el circuito base-emisor;
6. P K.t max - disipación de potencia constante del colector con un disipador de calor;
7. P K max: la disipación de potencia constante máxima permitida del colector;
8. r b - resistencia base;
9. r KE us - resistencia de saturación entre el colector y el emisor;
10. C K - capacitancia de la unión del colector, medida en U K = 10 V;
11. f grp - frecuencia de corte del coeficiente de transferencia de corriente del transistor para el circuito con un emisor común;
12. h 2le - coeficiente de retroalimentación de voltaje del transistor en el modo de señal baja para circuitos con un emisor común y una base común, respectivamente;
13. h 2lЭ - para un circuito con un emisor común en un modo de señal grande;
14. τ a - la constante de tiempo del circuito de retroalimentación a alta frecuencia.

Dimensiones del transistor KT315

Transistor tipo carcasa KT-13. La masa de un transistor no es más de 0,2 G. La magnitud de la fuerza de tracción es de 5 N (0,5 kgf). La distancia mínima del codo de salida al cuerpo es de 1 mm (marcada como L1 en la figura). Temperatura de soldadura (235 ± 5) °С, distancia del cuerpo al punto de soldadura 1 mm, tiempo de soldadura (2 ± 0,5) s. Los transistores deben soportar el calor generado a la temperatura de soldadura (260 ± 5) °C durante 4 segundos. Las conexiones deben permanecer soldables durante 12 meses a partir de la fecha de fabricación, sujeto a los modos y reglas de soldadura especificados en la sección "Instrucciones de funcionamiento". Los transistores son resistentes a la mezcla de alcohol y gasolina (1:1). Los transistores KT315 son ignífugos. Las dimensiones generales del transistor KT315 se muestran en la Figura 1.

Figura 1 - Marcado, distribución de pines y dimensiones generales del transistor KT315

Dimensiones del transistor KT315-1

Transistor tipo carcasa KT-26. La masa de un transistor no es más de 0,3 G. La distancia mínima de la curva de plomo desde la caja es de 2 mm (indicada como L1 en la figura). Temperatura de soldadura (235 ± 5) °С, distancia del cuerpo al punto de soldadura de al menos 2 mm, tiempo de soldadura (2 ± 0,5) s. Los transistores KT315-1 son ignífugos. Las dimensiones generales del transistor KT315-1 se muestran en la Figura 2.

Figura 2 - Marcado, distribución de pines y dimensiones generales del transistor KT315-1

asignación de pines del transistor

Si coloca el transistor KT315 con la marca lejos de usted (como se muestra en la Figura 1) con los pines hacia abajo, entonces el pin izquierdo es la base, el pin central es el colector y el pin derecho es el emisor.

Si coloca el transistor KT315-1 por el contrario con la marca hacia usted (como se muestra en la Figura 2) con los pines también hacia abajo, entonces el pin izquierdo es el emisor, el pin central es el colector y el pin derecho es el base.

marcado de transistores

Transistor KT315. El tipo de transistor se indica en la etiqueta y el grupo se indicó en forma de letra en la caja del dispositivo. El caso indica el nombre completo del transistor o solo la letra, que se desplaza hacia el borde izquierdo del caso. Es posible que no se indique la marca registrada de la planta. La fecha de emisión se pone en una designación digital o codificada (en este caso, solo se puede indicar el año de emisión). El punto en la marca del transistor indica su aplicabilidad, como parte de la televisión en color. Los transistores KT315 antiguos (producidos antes de 1971) estaban marcados con una letra en el centro de la caja. Al mismo tiempo, los primeros números se marcaron con una sola letra mayúscula y, alrededor de 1971, cambiaron a las dos líneas habituales. En la Figura 1 se muestra un ejemplo de marcado de un transistor KT315. También se debe tener en cuenta que el transistor KT315 fue el primer transistor codificado en masa en una caja de plástico en miniatura KT-13. La gran mayoría de los transistores KT315 y KT361 (las características son las mismas que las del KT315 y la conductividad p-n-p) se lanzaron en cajas amarillas o rojo-naranja, los transistores rosa, verde y negro son mucho menos comunes. Además de la letra que indica el grupo, la marca comercial de la planta y la fecha de fabricación, la marca de los transistores destinados a la venta también incluía un precio minorista, por ejemplo, "ts20k", que significaba el precio de 20 kopeks.

Transistor KT315-1. El tipo de transistor también se indica en la etiqueta, y el nombre completo del transistor se indica en la caja, y los transistores también se pueden marcar con una marca de código. En la Figura 2 se muestra un ejemplo de marcado de un transistor KT315-1. En la Tabla 2 se muestra el marcado de un transistor con una marca de código.

Tabla 2 - Marcado del transistor KT315-1 con una marca de código

tipo de transistor	Marca de marca en el corte superficie lateral del cuerpo	marca de marcado al final del cuerpo
KT315A1	triangulo verde	punto rojo
KT315B1	triangulo verde	punto amarillo
KT315В1	triangulo verde	punto verde
KT315G1	triangulo verde	punto azul
KT315D1	triangulo verde	punto azul
KT315E1	triangulo verde	punto blanco
KT315Zh1	triangulo verde	dos puntos rojos
KT315I1	triangulo verde	dos puntos amarillos
KT315H1	triangulo verde	dos puntos verdes
KT315R1	triangulo verde	dos puntos azules

Instrucciones para el uso y operación de transistores.

El propósito principal de los transistores es trabajar en etapas amplificadoras y otros circuitos de equipos electrónicos. Se permite el uso de transistores fabricados en la versión climática habitual en equipos diseñados para funcionar en todas las condiciones climáticas, cuando los transistores están recubiertos directamente en el equipo con barnices (en 3 - 4 capas) del tipo UR-231 según TU 6 -21-14 o EP-730 según GOST 20824 seguido de secado. El valor permitido del potencial estático es de 500 V. La distancia mínima permitida desde la caja hasta el lugar de estañado y soldadura (a lo largo de la longitud del cable) es de 1 mm para el transistor KT315 y de 2 mm para el transistor KT315-1. El número de resoldadura admisible de pines durante las operaciones de ensamblaje (ensamblaje) es uno.

Factores de influencia externos

Impactos mecánicos para el grupo 2 tabla 1 en GOST 11630, que incluye:
– vibración sinusoidal;
– rango de frecuencia 1-2000 Hz;
– amplitud de aceleración 100 m/s 2 (10g);
– aceleración lineal 1000 m/s 2 (100g).

Impactos climáticos - según GOST 11630, incluyendo: aumento de la temperatura de funcionamiento del medio 100 °C; temperatura de funcionamiento reducida del medio menos 60 °С; cambio de temperatura del medio de menos 60 a 100 °C. Para transistores KT315-1, el cambio en la temperatura del medio de menos 45 a 100 °C

Confiabilidad de transistores

La tasa de fallas de los transistores durante el tiempo de operación es más de 3×10 -7 1/h. Tiempo de funcionamiento de los transistores t n \u003d 50,000 horas. 98% de vida útil del transistor de 12 años. El embalaje debe proteger los transistores de la electricidad estática.

Análogos extranjeros del transistor KT315.

Los análogos extranjeros del transistor KT315 se muestran en la Tabla 3.

Tabla 3 - Análogos extranjeros del transistor KT315

Doméstico transistor	Extranjero término análogo	Compañía fabricante	Un país fabricante
KT315A	BFP719	Unitra CEMI	Polonia
KT315B	BFP720	Unitra CEMI	Polonia
KT315V	BFP721	Unitra CEMI	Polonia
KT315G	BFP722	Unitra CEMI	Polonia
KT315D	2SC641	Hitachi	Japón
KT315E	2N3397	Semiconductores centrales	EE.UU
KT315Zh	2N2711	Corporación eléctrica de Sprague.	EE.UU
KT315Zh	BFY37, BFY37i	ITT Intermetall GmbH	Alemania
KT315I	2SC634	Semiconductores de Nueva Jersey	EE.UU
KT315I	2SC634	sony	Japón
KT315N	2SC633	sony	Japón
KT315R	BFP722	Unitra CEMI	Polonia

El prototipo extranjero del transistor KT315-1 son los transistores 2SC544, 2SC545, 2SC546, Sanyo Electric, Japón.

Características técnicas principales

Los principales parámetros eléctricos de los transistores KT315 en el momento de la aceptación y la entrega se indican en la Tabla 4. Los modos de funcionamiento máximos permitidos del transistor se indican en la Tabla 5. Las características de corriente-voltaje de los transistores KT315 se muestran en las Figuras 3 a 8. Las dependencias de los parámetros eléctricos de los transistores KT315 sobre los modos y condiciones de su funcionamiento se presentan en las figuras 9 - 19.

Tabla 4 - Parámetros eléctricos de los transistores KT315 en el momento de la aceptación y entrega

Nombre del parámetro (modo de medición) unidades	Carta designación	Norma parámetro		Temperatura, °C
		al menos	no más
Tensión límite (I C = 10 mA), V KT315A, KT315B, KT315Zh, KT315N KT315V, KT315D, KT315I KT315G, KT315E, KT315R	U (CEO)	15 30 25	–	25
(I C = 20 mA, I B = 2 mA), V KT315A, KT315B, KT315V, KT315G, KT315R KT315D, KT315E KT315Zh KT315I	U CEsat	–	0,4 0,6 0,5 0,9
Tensión de saturación colector-emisor (I C \u003d 70 mA, IB \u003d 3.5 mA), V KT315N	U CEsat	–	0,4
Voltaje de saturación del emisor base (I C = 20 mA, I B = 2 mA), V KT315A, KT315B, KT315V, KT315G, KT315N, KTZ I5P KT315D, KT315E KT315Zh KT315I	U BEsat	–	1,0 1,1 0,9 1,35
KT315A, KT315B, KT315V, KT315G, KT315N, KT315R KT315D, KT315E, KT315J, KG315I	Yo CBO	–	0,5 0,6	25, -60
Corriente de colector inverso (U CB \u003d 10 V), μA KT3I5A KT315B, KT315V, KT315G, KT315N, KT315R KT315D, KT315E	Yo CBO	–	10 15	100
Corriente de emisor inverso (U EB \u003d 5 V) μA KT315A - KG315E, KT315Zh, XT315N KT315I KT315R	Yo EBO	–	30 50 3	25
, (R BE =10 kOhm U CE =25 V), mA, KT3I5A (R BE \u003d 10 kOhm U CE \u003d 20 V), mA, KT315B, KT315N (R BE \u003d 10 kOhm U CE \u003d 40 V), mA KT315V (R BE \u003d 10 kOhm U CE \u003d 35 V), mA, KT315G (R BE \u003d 10 kOhm U CE \u003d 40 V), mA, KT315D (R BE \u003d 10 kOhm U CE \u003d 35 V), mA, KT315E	I CER	–	0,6 0,6 0,6 0,6 1,0 1,0 0,005	25
(R BE \u003d 10 kOhm U CE \u003d 35 V), mA, KT315R	I CER	–	0,01	100
Corriente inversa colector-emisor (U CE =20 V), mA, KT315Zh (U CE =60 V), mA, KT315I	CES	–	0,01 0,1	25, -60
Corriente inversa colector-emisor (U CE =20 V), mA, KT3I5Ж (U CE =60 V), mA, KT3I5I	CES	–	0,1 0,2	100
(U CB = 10 V, I E = 1 mA) KT315A, KT3I5B KT315D KT315Zh KT315I KT315R	hora 21E	30 50 20 30 30 150	120 350 90 250 – 350	25
Relación de transferencia de corriente estática (U CB = 10 V, I E = 1 mA) KT315A, KT3I5B KT315D KT315Zh KT315I KT315R	hora 21E	30 50 20 30 30 150	250 700 250 400 – 700	100
Relación de transferencia de corriente estática (U CB = 10 V, I E = 1 mA) KT315A, KT3I5B KTZ15B, KT315G, KT315E, KT315N KT315D KT315Zh KT315I KT315R	hora 21E	5 15 5 5 5 70	120 350 90 250 – 350	-60
Módulo de relación de transferencia de corriente a alta frecuencia (U CB = 10 V, I E = 5 mA, f = 100 MHz)	\|h 21E \|	2,5	–	25
capacitancia de la unión del colector (UCB = 10 V, f = 10 MHz), pF	C C	–	7	25

Tabla 5 - Modos de funcionamiento máximos permitidos del transistor KT315

Parámetro, unidad	Designación	Norma de parámetros
		KG315A	KG315B	KG315V	KG315G	KTZ15D	KG315E	KG315J	KG315I	KT315N	KT315R
máx. voltaje de colector-emisor de CC permitido, (R BE = 10 kOhm), V 1)	U CERmáx	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
máx. voltaje constante colector-emisor permitido en caso de un cortocircuito en el circuito emisor-base, V 1)	U CES máx.	–	–	–	–	–	–	20	60	–	–
máx. tensión de CC admisible en la base del colector, V 1)	U CB máx.	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
máx. base-emisor de tensión constante admisible, V 1)	U EB máx.	6	6	6	6	6	6	6	6	6	6
máx. corriente de colector CC admisible, mA 1)	I Cmax	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100
máx. disipación de potencia constante permisible del colector, mW 2)	PC máx.	200	200	200	200	200	200	200	200	200	200
máx. temperatura de transición permitida, ⁰С	t j max	125	125	125	125	125	125	125	125	125	125

Nota:
1. Para todo el rango de temperatura de funcionamiento.
2. A t atv de menos 60 a 25 °С. Cuando la temperatura supera los 25 °C, la P C máx se calcula mediante la fórmula:

donde R t hjα es la resistencia térmica total del entorno de transición, igual a 0,5 °C/mW.

Figura 3 - Característica de entrada típica de los transistores KT315A - KT315I, KT315N, KT315R

Figura 4 - Característica de entrada típica de los transistores KT315A - KT315I, KT315N, KT315R
en U CE \u003d 0, t atv \u003d (25 ± 10) ° С

Figura 5 - Características típicas de salida de transistores como KT315A, KT315V, KT315D, KT315I
en t atv = (25±10) °С

Figura 6 - Características típicas de salida de transistores como KT315B, KT315G, KT315E, KT315N
en t atv = (25±10) °С

Figura 7 - Características de salida típicas
transistor KT315Zh en t atv = (25±10) °С

Figura 8 - Características de salida típicas
transistor KT315R a t atv = (25±10) °С

Figura 9 - Dependencia de la tensión de saturación del colector-emisor de la corriente continua del colector para transistores del tipo KT315A - KT315I, KT315N, KT315R en I C / I B = 10,
atv \u003d (25 ± 10) ° С

Figura 10 - Dependencia del voltaje de saturación del emisor base en la corriente del colector de CC para transistores del tipo KT315A - KT315I, KT315N, KT315R en I C / I B = 10, t atv = (25 ± 10) ° С

Figura 11 - Dependencia del coeficiente de transferencia de corriente estática en la corriente constante del emisor para transistores KT315A, KT315V, KT315D, KT315I en U CB = 10,
atv \u003d (25 ± 10) ° С

Figura 12 - Dependencia del coeficiente de transferencia de corriente estática en la corriente continua del emisor para transistores KT315B, KT315G, KT315E, KT315N en U CB = 10,
atv \u003d (25 ± 10) ° С

Figura 13 - Dependencia del coeficiente de transferencia de corriente estática de la corriente constante del emisor para el transistor KT315Zh en U CB = 10, t atv = (25±10) °С

Figura 14 - Dependencia del coeficiente de transferencia de corriente estática de la corriente constante del emisor para el transistor KT315R en U CB = 10, t atv = (25 ± 10) ° С

Figura 15 - Dependencia del módulo del coeficiente de transferencia de corriente a alta frecuencia de la corriente continua del emisor en U CB = 10, f = 100 MHz, t atv = (25±10) °С

Figura 16 - Dependencia de la constante de tiempo del circuito de retroalimentación a alta frecuencia en el voltaje de la base del colector en I E = 5 mA, t atv = (25 ± 10) ° С para KT315A

Figura 17 - Dependencia de la constante de tiempo del circuito de retroalimentación a alta frecuencia en el voltaje de la base del colector a I E \u003d 5 mA, t atv \u003d (25 ± 10) ° С para KT315E, KT315V, KT315G, KT315N, KT315R

Figura 18 - Dependencia de la constante de tiempo del circuito de retroalimentación a alta frecuencia en la corriente del emisor en U CB = 10 V, f = 5 MHz, t atv = (25 ± 10) ° С para
KT315A

¡Esta es una verdadera leyenda en el mundo de la radioelectrónica! El transistor KT315 se desarrolló en la Unión Soviética y durante décadas ocupó la palma de la mano entre tales tecnologías. ¿Por qué merecía tal reconocimiento?

Transistor KT315

¿Qué se puede decir de esta leyenda? KT315 es un transistor bipolar de baja potencia y alta frecuencia de silicio. Tiene n-p-n-conductividad. Está hecho en el caso KT-13. Debido a su versatilidad, ha recibido la más amplia distribución en equipos radioelectrónicos de fabricación soviética. ¿Cuál es el análogo del transistor KT315? Hay bastantes de ellos: BC847B, BFP722, 2SC634, 2SC641, 2SC380, 2SC388, BC546, KT3102.

Desarrollo

Por primera vez, la idea de crear un dispositivo de este tipo entre los científicos e ingenieros soviéticos surgió en 1966. Dado que se creó para convertirlo posteriormente en producción en masa, el desarrollo tanto del transistor como del equipo para su fabricación se confió al Instituto de Investigación Pulsar, la planta de semiconductores Fryazinsky y la oficina de diseño ubicada en su territorio. 1967 fue una activa preparación y creación de condiciones. Y en 1968, se lanzaron los primeros dispositivos electrónicos, que ahora se conocen como el transistor KT315. Se convirtió en el primer dispositivo de este tipo producido en masa. La marca de los transistores KT315 es la siguiente: inicialmente, se colocó una letra en la esquina superior izquierda del lado plano, que denotaba el grupo. A veces también se indicaba la fecha de fabricación. Unos años más tarde, comenzó la producción de transistores KT361 complementarios con conductividad p-n-p en el mismo paquete. Para distinguirlos en el medio de la parte superior, se colocó una marca. Por el desarrollo del transistor KT315 en 1973, se otorgó el Premio Estatal de la URSS.

Tecnología

Cuando comenzó a producirse el transistor KT315, se probó simultáneamente una nueva tecnología: planar-epitaxial. Implica que todas las estructuras de dispositivos se crean en el mismo lado. ¿Cuáles son los requisitos del transistor KT315? Los parámetros del material fuente deben tener el mismo tipo de conductividad que el colector. Y para empezar, se lleva a cabo la formación de la región base, y solo entonces, el emisor. Esta tecnología supuso un hito muy importante en el desarrollo de la industria radioelectrónica soviética, ya que permitió acercarse a la fabricación de circuitos integrados sin el uso de un sustrato dieléctrico. Hasta que apareció este dispositivo, los dispositivos de baja frecuencia se fabricaban según el método de aleación y los dispositivos de alta frecuencia, según el método de difusión.

Podemos decir con confianza que los parámetros que poseía el dispositivo completo fueron un verdadero avance para su época. ¿Por qué dicen eso del transistor KT315? Parámetros: ¡es por eso que hablaron de él así! Entonces, si lo comparamos con el moderno transistor de germanio de alta frecuencia GT308, lo supera en potencia en 1,5 veces. La frecuencia de corte es más de 2 veces, y la corriente máxima del colector es generalmente 3. Y al mismo tiempo, el transistor KT315 era mucho más barato. Pudo reemplazar el MP37 de baja frecuencia, porque con la misma potencia tenía un coeficiente de transferencia de corriente base más alto. Además, el mejor rendimiento fue en la corriente de pulso máxima, y KT315 tuvo una estabilidad de temperatura superior. Gracias al uso de silicio, este transistor podría funcionar durante decenas de minutos a una corriente moderada, incluso si hubiera un punto de fusión de soldadura alrededor. Es cierto que el trabajo en tales condiciones empeoró ligeramente las características del dispositivo, pero no falló de manera irreversible.

Aplicaciones y Tecnologías Complementarias

El transistor KT315 ha encontrado una amplia aplicación en circuitos amplificadores de audio, intermedios y de alta frecuencia. Una adición importante fue el desarrollo del KT361 complementario. En pares, han encontrado su aplicación en circuitos push-pull sin transformador.

Conclusión

En un momento, este dispositivo desempeñó un papel importante en la construcción de varios circuitos. Incluso se llegó al punto de que en las tiendas de radioaficionados de la época de la Unión Soviética no se vendían por pieza, sino por peso. Esto era un indicador de popularidad y hablaba de la capacidad de producción dirigida a crear tales dispositivos. Además, son tan populares que los radioaficionados todavía usan estos transistores en algunos circuitos. No es de extrañar, porque puedes comprarlos ahora. Aunque no siempre es necesario comprar, a veces es suficiente desmontar equipos originarios de la URSS.

¡Hola a todos! Como tengo un tapón para cada barril, ¡no puedo ignorar un tema tan importante!

Extracto de Wikipedia con mis adiciones:
- un tipo de transistor bipolar de silicio, de conductividad n-p-n, que es el más utilizado en los equipos radioelectrónicos soviéticos.
En 1966, A. I. Shokin (en ese momento el Ministro de Industria Electrónica de la URSS) leyó la noticia en la revista Electronics sobre el desarrollo en los EE. UU. de un transistor tecnológicamente adaptado para la producción en masa utilizando el método de ensamblaje en una cinta continua en magnético tambores de almacenamiento. El desarrollo del transistor y el equipo para la producción estuvo a cargo del Instituto de Investigación Pulsar, la Planta de Semiconductores Fryazinsky y su Oficina de Diseño. Ya en 1967 (!) Se hicieron preparativos para el lanzamiento de la producción en masa, y en 1968 (!) Se produjeron los primeros dispositivos electrónicos basados en KT315.
Por lo tanto, KT315 se convirtió en el primer transistor marcado con código de bajo consumo producido en masa en una caja de plástico en miniatura KT-13. En él, en la esquina superior izquierda (ya veces en la esquina superior derecha) del lado plano, se colocó una letra que indicaba el grupo, debajo se indicaba la fecha de fabricación (en forma digital o con cifrado de letras). También había un símbolo del fabricante.
El desarrollo de KT315 fue otorgado en 1973 por el Premio Estatal de la URSS.
Unos años más tarde, en el mismo paquete KT-13, comenzaron a producir un transistor con conductividad p-n-p: KT361. Para distinguirlo de KT315, la letra que denota el grupo se colocó en el medio de la parte superior en el lado plano de la caja, también se encerró en un "guión".

Aquí está de mi stock:

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También satisfecho con su variedad de colores:

Comenzando con naranja oscuro y terminando con negro)))

Y tengo KT315 ya en 1994.

En la siguiente ilustración, proporciono una imagen del transistor en sí (en este caso, KT315G a la izquierda, KT361G a la derecha) y una visualización gráfica condicional en los diagramas de circuito de los transistores bipolares de ambas conductividades.
También se indica el pinout (es lo mismo para ellos), y las conclusiones de los transistores se indican en la imagen gráfica: A coleccionista, B aza, mi mitón

Casi todos los tableros de producción nacional (léase la producción de la antigua URSS) usaban estos transistores baratos y de baja potencia. Habiéndolos soldado, los entonces radioaficionados utilizaron con éxito estos amigos de tres patas en sus manualidades. Como muestra la práctica, casi siempre eran útiles. Pero aún así, a veces también se encuentran los "muertos" (una transición está rota / en cortocircuito - resistencia eléctrica = 0, o está en una ruptura - resistencia eléctrica = infinito). Rara vez se encontraron defectos de fábrica (un transistor completamente nuevo estaba "muerto"), y la marca de la categoría "Ajustador automático de línea en producción, tío Vanya, antes de lanzar el siguiente lote de transistores para estampar, gruñó para restaurar la fuerza 100-150 gramo. »:)

Simplemente no está claro si la letra del transistor está a la izquierda o a la derecha. Había transistores con marcas de la categoría "la letra no está a la izquierda, ni a la derecha, ni en el medio".))))

Para combatir estos problemas, cualquier dispositivo reparable para verificar las transiciones de PN viene en nuestra ayuda. Con él, podemos hacer la prueba más simple de transistores. Como sabemos, los transistores bipolares NPN y PNP pueden estar condicionalmente (¡y solo condicionalmente! ¡No hay dos diodos separados NUNCA reemplazarán un transistor bipolar!) presentes como uniones PN únicas. Volvemos a la ilustración de arriba y observamos en la esquina inferior izquierda el equivalente del transistor NPN KT315 que se muestra exclusivamente "para verificación por el dispositivo" en forma de dos diodos VD1, VD2.
Dado que el transistor KT361 de conductividad opuesta es PNP, los diodos en su circuito equivalente simplemente cambian de polaridad (ilustración a continuación, a la derecha).
Pasemos a la práctica: verificaremos la capacidad de servicio de nuestro amado KT315. Cogemos un multímetro que nos viene a la mano.
Uno de mis probadores:

Encender. Un probador con selección automática de límites de medición, pero esto no nos hará daño :)
2 - configure el interruptor en el modo de "marcación", mida los semiconductores, mida la resistencia eléctrica.
3 - use el botón de selección manual para configurar el modo "prueba de semiconductores"
1: se muestra una visualización gráfica condicional del diodo a la izquierda del indicador LCD.
En la figura anterior se puede ver que para los transistores NPN (que es nuestro KT315), al medir el emisor base y el colector base, el dispositivo de medición debe mostrar la presencia de una unión PN (un diodo de silicio convencional en el estado abierto en este caso). Si la sonda del probador con potencial negativo (para todos los probadores chinos normales es negra) está conectada a la base del transistor, y la sonda con potencial positivo (estándar - negro) al emisor o colector (que corresponde a las comprobaciones emisor-base y colector-base), luego, a través de diodos condicionales, fluirá una corriente insignificante (corriente de fuga inversa, generalmente microamperios), que el dispositivo no mostrará, es decir, los diodos estarán en el estado cerrado - su resistencia es igual al infinito. Intentamos:

Comprobación del emisor base. El dispositivo muestra una caída de voltaje casi estándar a través de un diodo de silicio = 0,7 V; a corriente casi estándar para multímetros.

Comprobación del emisor base. Nuevamente, de acuerdo con el dibujo de prueba del transistor, vemos la misma caída de voltaje = 0.7V en la misma unión PN.
Conclusión: con conexión directa, ambas transiciones son absolutamente útiles.
Si el dispositivo mostró una caída de voltaje cercana a cero o el probador chirrió en el modo de "marcación", esto indicaría un cortocircuito en una de las transiciones probadas. Si el dispositivo mostrara una caída de voltaje infinita o una resistencia infinita, esto indicaría una apertura en esta transición medida.
Las patas del emisor - colector tampoco deben "resonar" en ninguna de las direcciones.

Ahora verifiquemos la capacidad de servicio del transistor PNP, en nuestro caso KT361.
De la misma figura de arriba (a la derecha, abajo), se puede ver que los transistores de esta conductividad tienen uniones PN emisor-base y colector-base (como dije exactamente lo contrario a la estructura de un transistor NPN, las polaridades de cambio de semiconductores).
Verificamos:

En la unión PN, la caída emisor-base es de 0,7 V. Más:

La base del colector también es de 0.7V. No hay cortocircuito ni rotura en ninguna de las transiciones. Diagnóstico: el transistor está funcionando. ¡Vamos a soldar!

Verso sobre KT315(lurkmore.ru/CT315)
Fuiste creado para HF
Pero soldado incluso en el ULF.
Monitoreó el voltaje en la fuente de alimentación,
Y comió de IP.
Trabajó en la GVCh y LNG,
Incluso estuviste preso en la UPC.
eres un buen generador
Amplificador, interruptor.
tu vales cada centavo
Pero los microchips han venido a reemplazarte.

Para resolver los problemas de crear una industria electrónica prácticamente desde cero en las condiciones existentes y sin la participación de la cooperación mundial, era necesario pensar en un programa claro con un enfoque integrado basado en una combinación de una comprensión profunda de la ciencia y problemas técnicos de la electrónica con un conocimiento igualmente profundo de las leyes de la producción industrial. Y se soportó tal programa para la transformación de la industria electrónica de la URSS en una de las ramas más poderosas de la economía nacional, ganado con sufrimiento y desarrollado por el ministro y sus asociados. Como resultado de su implementación, la Unión Soviética para el período de 1960 a 1990. llegó en tercer lugar en el mundo en la producción de componentes electrónicos (y en ciertos tipos, y el segundo e incluso el primero). El único país del mundo que tenía la capacidad de proporcionar completamente todos los tipos de armas modernas con su propia base elemental era la Unión Soviética.
A principios de los años 90, la producción total de transistores KT315 en cuatro fábricas de la industria ascendió a alrededor de 7 mil millones de piezas, se exportaron cientos de millones, se vendió una licencia para tecnología de producción y un conjunto de equipos en el extranjero.

Así que el cuento de hadas ha terminado, gracias por su atención.
Su:)

Ama a CT-shki, y recuerda el dicho: "sin CT, ni aquí ni allá".))))

Hay varias razones para esta prevalencia. Primero, su calidad. Gracias al método de la cinta transportadora, que fue revolucionario a finales de los años sesenta, el coste de producción se redujo al mínimo con muy buenos indicadores técnicos. De ahí la segunda ventaja: un precio asequible que permite el uso de transistores KT315 en electrónica industrial y de consumo masivo, así como para dispositivos de radioaficionados.

La caja de plástico no implicaba alta potencia, pero era barata.

El transistor KT315 se produjo en dos versiones, plano (naranja o amarillo) y cilíndrico (negro).

El transistor negro tenía un corte plano, si coloca el transistor hacia usted, entonces el emisor está a la derecha, el colector está a la izquierda y la base está en el medio.

El transistor KT315, uno de los transistores domésticos más populares, se puso en producción en 1967. Producido inicialmente en una caja de plástico KT-13.

Asignación de pines KT315

Si coloca el KT315 con las marcas hacia usted con los pines hacia abajo, entonces el pin izquierdo es el emisor, el pin central es el colector y el pin derecho es la base.

Posteriormente, KT315 comenzó a producirse en el paquete KT-26 (análogo extranjero de TO92), los transistores en este paquete recibieron un "1" adicional en la designación, por ejemplo, KT315G1. El pinout de KT315 en este caso es el mismo que en KT-13.

Parámetros KT315

KT315 es un transistor bipolar de alta frecuencia de silicio de baja potencia con estructura n-p-n. Tiene un análogo complementario de KT361 con una estructura p-n-p.
Ambos transistores fueron diseñados para funcionar en circuitos amplificadores, tanto de audio como de frecuencias intermedias y altas.
Pero debido al hecho de que las características de este transistor fueron un gran avance y el costo es más bajo que los análogos de germanio existentes, KT315 ha encontrado la aplicación más amplia en la tecnología electrónica doméstica.

La frecuencia de corte del coeficiente de transferencia de corriente en un circuito con un emisor común ( gr.) – 250 MHz.

La disipación de potencia constante máxima permitida del colector sin disipador de calor ( P al máximo)

Para KT315A, B, C, D, D, E- 0.15W;
Para KT315Zh, yo, N, R- 0.1W.

Corriente de colector de CC máxima permitida ( yo al máximo)

Para KT315A, B, C, D, D, E, N, R- 100mA;
Para KT315ZH, yo- 50mA.

Base-emisor de tensión constante - 6 voltios.

Los principales parámetros eléctricos de KT315, que dependen de la letra, se dan en la tabla.

u kbo- La tensión máxima admisible en la base del colector,
tu keo- La tensión colector-emisor máxima admisible,
hora 21e- Coeficiente de transferencia de corriente estática de un transistor bipolar en un circuito emisor común,
Yo kbo- Corriente inversa del colector.

nombre	U kbo y U keo, V	hora 21e	Yo kbo, uA
KT315A	25	30-120	≤0,5
KT315B	20	50-350	≤0,5
KT315V	40	30-120	≤0,5
KT315G	35	50-350	≤0,5
KT315G1	35	100-350	≤0,5
KT315D	40	20-90	≤0,6
KT315E	35	50-350	≤0,6
KT315Zh	20	30-250	≤0,01
KT315I	60	≥30	≤0,1
KT315N	20	50-350	≤0,6
KT315R	35	150-350	≤0,5

Marcado de transistores KT315 y KT361.

Fue con KT315 que comenzó la designación codificada de transistores domésticos. Encontré KT315 con marcas completas, pero mucho más a menudo con una sola letra del nombre desplazada ligeramente hacia la izquierda del centro, a la derecha de la letra estaba el logotipo de la planta que produjo el transistor. Los transistores KT361 también estaban marcados con una letra, pero la letra estaba ubicada en el centro y había guiones a la izquierda y a la derecha.

Y, por supuesto, KT315 tiene análogos extranjeros, por ejemplo: 2N2476, BSX66, TP3961, 40218.

Pinout KT315, parámetros KT315, características KT315: 20 comentarios

greg
¡Sí, la legendaria pareja de pelirrojos! Un intento legado por una persona legendaria, e iremos por el otro lado. No funcionó, desafortunadamente. Bueno, era necesario pensar en ello, sacar conclusiones tan incómodas, permitir doblarse en una sola dirección: esto probablemente no sea una ingeniería, sino una decisión política) Pero a pesar de esto, o tal vez por esto, además de un color festivo brillante ... ¡el séquito más brillante, elegante, brutal e inolvidable! Le daría un Oscar y un Premio Nobel a la vez.
Después de cambiar el atuendo, un detalle ordinario y mediocre, entre miles de similares (
Threat Corps ha cambiado porque los equipos de producción, con el tiempo, fueron reemplazados por importados, y sus máquinas no están diseñadas para tales dulces.
1. administración Autor de la publicación
  El problema no era que los cables estuvieran moldeados en un solo plano (por ejemplo, en los casos TO-247, los cables también son planos), sino que eran anchos (0,95 mm de ancho, 0,2 mm de espesor) y ubicados cerca (espacio 1 .55 mm). Fue muy inconveniente criar el tablero: no se puede perder el camino entre los cables y fue necesario perforar debajo del KT-13 con un taladro de 1,2 mm. Para otros componentes, 1 mm o incluso 0,8 mm fue suficiente.
  KT315 fue el primer transistor doméstico fabricado con tecnología epitaxial plana, luego, después de un par de décadas, ya se volvió mediocre entre sus contrapartes más jóvenes. Y, por supuesto, en los años 80, en lugar de KT315 / KT361, era más conveniente colocar KT208 / KT209, KT502 / KT503 o KT3102 / KT3107, según las tareas que enfrentaba el transistor.
  Y dudo que el casco KT-13 fuera una invención doméstica, parece que había partes japonesas en tales cascos, por lo que lo más probable es que adoptaran sin éxito la experiencia de otra persona ...
greg
Oriente es un asunto delicado... A mediados del siglo pasado, hubo una lucha obstinada entre las superpotencias por la redistribución de las esferas de influencia. Alguien, Japón - bombas, y alguien - tecnología. Y los astutos japoneses aceptaron cualquier ayuda y agarraron todo lo que dieron ... Luego, por supuesto, eligieron lo mejor, lo que significa tecnológico. Ellos, personas no creativas, ganaron - Techno-Logic) La URSS no solo construyó la primera planta de radio para ellos, sino también la primera planta de automóviles, por ejemplo. En el futuro, los automóviles producidos comenzaron a diferir de los nuestros no menos que los componentes de radio. La cuestión de la prioridad aquí es discutible, debido a la amistad internacional y la compatibilidad de los desarrollos de entonces.
1. Vova
  La URSS vendió licencias para la producción de KT315 en el extranjero, aparentemente los japoneses también compraron una. Y, en general, toda la línea para la producción de KT315 de Voronezh se entregó a Polonia. Al parecer bajo el programa de apoyo a los países del campo social.
chupacabras
En términos de popularidad, solo MP42B se puede comparar con KT315.

No encontré KT315 con letras extrañas, resulta que eran transistores especializados:
- KT315I fueron diseñados para circuitos de conmutación de segmentos de indicadores fluorescentes de vacío;
- KT315N estaban destinados para su uso en televisión en color;
- KT315R fueron diseñados para grabadoras de video "Electronics-VM".
oleksander
Sí, conclusiones no convenientes, pero entonces no había otros transistores. Recientemente, hace 20 años, estos transistores están fácilmente disponibles, puede obtenerlos de forma gratuita. No se quemará, es bueno para principiantes. Suelde bien en protoboards.
raíz
Sí, tienen cuerpos normales. Plano, puede colocar docenas en una fila a una distancia mínima entre sí, al igual que no puede colocar transistores en TO-92. Es relevante cuando hay muchos de ellos en el tablero, por ejemplo, teclas para VLI multisegmento. Los cables de cinta (un tributo a la capacidad de fabricación de la producción de transistores) tampoco crean ningún inconveniente particular, no veo una necesidad urgente de doblar los cables en diferentes direcciones. No doblamos las conclusiones de los microcircuitos y esto no interfiere en absoluto con el rastreo.

Nunca pensé en el ancho de los pines KT315. Siempre taladré todo principalmente con una broca de 0,8 mm y el 315_e (que tengo un bote de medio litro comprado en la ocasión en el mercado) siempre encajaba con normalidad, sin ningún tipo de violencia por mi parte.
1. raíz
  Por curiosidad. Leí en algún sitio sobre la fabricación de la etapa de salida de un potente convertidor de frecuencia ultrasónico en docenas de KT315 y KT361 paralelos. Transistores en una línea con superficies laterales entre sí, y se sujetan entre placas de aluminio con pasta térmica. No recuerdo las características del amplificador, y el autor de este diseño no contó con alta calidad de sonido al hacer UMZCH a 315_x como curiosidad técnica.

Víctor

"Dulce pareja" - 315,361. Tantas cosas están soldadas en ellos. Como si estuvieran hechos específicamente para protoboards con sus terminaciones planas, todavía siento calor cuando los tomo en mis manos. Creció en tiempos de escasez. Yacen en una caja. Esperando a que el nieto crezca.

móvilandser

Fueron los transistores de las series 315 y 361 los que se usaron mucho en los circuitos antiguos.Por cierto, les soldé muchas cosas, pero la ubicación de las conclusiones en sí no es muy conveniente. Cambiaría colector y emisor o base. entonces el diseño del tablero sería mucho más compacto.

greg
Pato, por eso es rojo, para que no todo sea como la mayoría) Ahí, y con la tecnología de tal arreglo de conclusiones, hay algunas dificultades, es más fácil hacer E_B_K que E_K_B, pero por alguna razón se fueron. para ello. Y el contacto de la cinta es excesivamente ancho, lo que provocó un aumento injustificado del cuerpo ... ¿Primer panqueque? ¿Nuestra respuesta a Chamberlain? ¿Previsión de desarrollo fallida? premisas falsas? La historia es silenciosa, pero me gustaría ver los documentos de patentes y derechos de autor, pero esto también es un misterio.

Por lo que recuerdo, en las grabadoras, KT315-KT361 fue reemplazada por KT208-KT209, KT502-KT503 y luego KT3102-KT3107. Si alguno de estos transistores está disponible, puede intentar seleccionarlos de acuerdo con los parámetros, por supuesto, el resultado no está garantizado y sus casos son diferentes.
Si no es de interés deportivo que todo sea como pretendía el diseñador del altavoz, especialmente porque todos los transistores se quemaron en el amplificador, entonces insertaría una placa de circuito de amplificador operacional moderna en el altavoz.

mitia

¿Qué se puede reemplazar con estos trans? Para qué transferencias

Kemrán

Hola a todos, tengo un problema con estos transitos;

greg
El administrador ya escribió, arriba, pero repito, con más detalle. El reemplazo más apropiado, según la mayoría de los parámetros, para el par KT315/KT361 es KT502/KT503. Adecuado para la mayoría de las soluciones esquemáticas, incluso sin recálculo de los circuitos de conducción y corrección. Si el énfasis esquemático está en el procesamiento de señales discretas clave, puede usar KT3102 / KT3107, que a menudo es aún mejor. KT208 / KT209 también son bastante adecuados. Pero, si se usa en circuitos de amplificación analógicos, entonces es mejor corregir los circuitos de conducción.

vladimir

En los amplificadores de sonido, puede colocar MP41A y en un par de MP37A en lugar de KT361 y, en consecuencia, KT315. Porque con la letra A, el voltaje para el MP37A es de 30 Voltios, para las demás letras es menor de 20 Voltios. El MP41 puede ser reemplazado por MP42, MP25, MP26, estos dos últimos tienen un voltaje mínimo de 25 y 40 Voltios, por lo que hay que fijarse en el voltaje de la fuente de alimentación. Por lo general, 12 o 25 voltios en amperios más antiguos.

Este artículo se centrará en la definición de los principales parámetros tanto nacionales como extranjeros. transistores según las tablas de color y marcado simbólico de colores.

Codificación de colores de transistores

En esta marca, se utilizan puntos de colores para codificar los parámetros de los transistores en los casos KT-26 (TO-92) y KTP-4. Con marcaje a todo color, se aplica en el corte de la superficie lateral la codificación del valor nominal, grupo y fecha de emisión según el esquema de color aceptado.

El punto que indica el valor nominal se aplica en la esquina superior izquierda. Ella es el punto de partida. Además, se aplican tres puntos en el sentido de las agujas del reloj, que indican el grupo, el año y el mes de emisión, respectivamente.

Cuando se reduce el código de colores, se omite la fecha de lanzamiento (indicada en el prospecto). El valor nominal se indica en el corte de la superficie lateral de la caja. El grupo se indica al final de la caja.

Simbólicamente - marca de color de transistores

Una característica distintiva de esta marca es la ausencia de números y letras. La clasificación de tipo del transistor se indica en el corte de la superficie lateral con un símbolo especial (puntos, líneas horizontales, verticales o punteadas) o una figura geométrica coloreada (círculo, semicírculo, cuadrado, triángulo, rombo, etc.). El marcado del grupo se refiere a uno (varios) puntos en el extremo de la caja (KT-26, KTP-4).

La gama de colores de los puntos que denotan un grupo para esta marca no coincide con la gama de colores estándar según GOST 24709-81. Lo determina el fabricante.

El símbolo de un círculo en el corte lateral del transistor debe distinguirse de un punto, que no tiene una forma clara, porque. se aplica con brocha.

Varias empresas extranjeras utilizan códigos de colores para indicar la ganancia de los transistores de RF. La tabla muestra el código de colores de los transistores RF de MOTOROLLA. Es posible aplicar un código alfabético o un punto de color.

Transistores n-p-n epitaxial-planares de silicio del tipo KT315 y KT315-1 (un par complementario a ellos). Están destinados al uso en amplificadores de alta, media y baja frecuencia, se utilizan directamente en equipos radioelectrónicos fabricados para obra civil y para exportación. Los transistores KT315 y KT315-1 se fabrican en una caja de plástico con cables flexibles. El transistor KT315 se fabrica en el paquete KT-13. Posteriormente, KT315 comenzó a producirse en el paquete KT-26 (un análogo extranjero de TO92), los transistores en este paquete recibieron un "1" adicional en la designación, por ejemplo, KT315G1. La carcasa protege de manera confiable el cristal del transistor contra daños mecánicos y químicos. Los transistores KT315H y KT315H1 están diseñados para su uso en televisión en color. Los transistores KT315P y KT315R1 están diseñados para su uso en la grabadora de video Electronics - VM. Los transistores se fabrican en versión climática UHL y en versión única, aptos para el montaje de equipos tanto manual como automatizado.

KT315 fue producido por las siguientes empresas: Elektropribor, Fryazino, Kvazar, Kiev, Continent, Zelenodolsk, Quartzite, Ordzhonikidze, Elkor Production Association, Republic of Kabardino-Balkaria, Nalchik, NIIPP, Tomsk, Production Association "Electronics", Voronezh, en 1970 su producción también se transfirió a Polonia a la empresa Unitra CEMI.

Las breves características técnicas de los transistores KT315 y KT315-1 se presentan en la tabla 1.

Tabla 1 - Breves características técnicas de los transistores KT315 y KT315-1

Tipo	Estructura	P K máx , P K * t máx, mW	gr f, megahercio	UKBO máx., U КЭR*max, EN	U EBO máx , EN	I K máx , mamá	Yo KBO, uA	hora 21e, hora 21E*	CK, pF	r CE nosotros, Ohm	r b, Ohm	τ a, PD
KT315A1	n-p-n	150	≥250	25	6	100	≤0,5	20...90 (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315B1	n-p-n	150	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350 (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315В1	n-p-n	150	≥250	40	6	100	≤0,5	20...90 (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315G1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	50...350 (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315D1	n-p-n	150	≥250	40	6	100	≤0,5	20...90 (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315E1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	20...90 (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Zh1	n-p-n	100	≥250	15	6	100	≤0,5	30...250 (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315I1	n-p-n	100	≥250	60	6	100	≤0,5	30 (10V; 1mA)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315H1	n-p-n	150	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350 (10 V; 1 mA)	≤7	–	–	–
KT315R1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	150...350 (10 V; 1 mA)	≤7	–	–	–
KT315A	n-p-n	150 (250*)	≥250	25	6	100	≤0,5	30...120* (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315B	n-p-n	150 (250*)	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350* (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤500
KT315V	n-p-n	150 (250*)	≥250	40	6	100	≤0,5	30...120* (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤500
KT315G	n-p-n	150 (250*)	≥250	35	6	100	≤0,5	50...350* (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	≤40	≤500
KT315D	n-p-n	150 (250*)	≥250	40* (10k)	6	100	≤0,6	20...90 (10 V; 1 mA)	≤7	≤30	≤40	≤1000
KT315E	n-p-n	150 (250*)	≥250	35* (10k)	6	100	≤0,6	50...350* (10 V; 1 mA)	≤7	≤30	≤40	≤1000
KT315Zh	n-p-n	100	≥250	20* (10k)	6	50	≤0,6	30...250* (10 V; 1 mA)	≤7	≤25	–	≤800
KT315I	n-p-n	100	≥250	60* (10k)	6	50	≤0,6	≥30* (10V; 1mA)	≤7	≤45	–	≤950
KT315N	n-p-n	150	≥250	35* (10k)	6	100	≤0,6	50...350* (10 V; 1 mA)	≤7	≤5,5	–	≤1000
KT315R	n-p-n	150	≥250	35* (10k)	6	100	≤0,5	150...350* (10 V; 1 mA)	≤7	≤20	–	≤500

Dimensiones del transistor KT315

Figura 1 - Marcado, distribución de pines y dimensiones generales del transistor KT315

Dimensiones del transistor KT315-1

Figura 2 - Marcado, distribución de pines y dimensiones generales del transistor KT315-1

asignación de pines del transistor

marcado de transistores

Transistor KT315. El tipo de transistor se indica en la etiqueta y el grupo se indicó en forma de letra en la caja del dispositivo. El caso indica el nombre completo del transistor o solo la letra, que se desplaza hacia el borde izquierdo del caso. Es posible que no se indique la marca registrada de la planta. La fecha de emisión se pone en una designación digital o codificada (en este caso, solo se puede indicar el año de emisión). El punto en la marca del transistor indica su aplicabilidad, como parte de la televisión en color. Los transistores KT315 antiguos (producidos antes de 1971) estaban marcados con una letra en el centro de la caja. Al mismo tiempo, los primeros números se marcaron con una sola letra mayúscula y, alrededor de 1971, cambiaron a las dos líneas habituales. En la Figura 1 se muestra un ejemplo de marcado de un transistor KT315. También se debe tener en cuenta que el transistor KT315 fue el primer transistor codificado en masa en una caja de plástico en miniatura KT-13. La gran mayoría de los transistores KT315 y KT361 (las características son las mismas que las del KT315 y la conductividad es p-n-p) se lanzaron en cajas amarillas o rojo-naranja, los transistores rosa, verde y negro son mucho menos comunes. Además de la letra que indica el grupo, la marca comercial de la planta y la fecha de fabricación, la marca de los transistores destinados a la venta también incluía un precio minorista, por ejemplo, "ts20k", que significaba el precio de 20 kopeks.

Tabla 2 - Marcado del transistor KT315-1 con una marca de código

tipo de transistor	Marca de marca en el corte superficie lateral del cuerpo	marca de marcado al final del cuerpo
KT315A1	triangulo verde	punto rojo
KT315B1	triangulo verde	punto amarillo
KT315В1	triangulo verde	punto verde
KT315G1	triangulo verde	punto azul
KT315D1	triangulo verde	punto azul
KT315E1	triangulo verde	punto blanco
KT315Zh1	triangulo verde	dos puntos rojos
KT315I1	triangulo verde	dos puntos amarillos
KT315H1	triangulo verde	dos puntos verdes
KT315R1	triangulo verde	dos puntos azules

Instrucciones para el uso y operación de transistores.

Factores de influencia externos

Confiabilidad de transistores

Análogos extranjeros del transistor KT315.

Los análogos extranjeros del transistor KT315 se muestran en la Tabla 3. La información técnica (hoja de datos) para los análogos extranjeros del transistor KT315 también se puede descargar de la tabla a continuación. Los precios a continuación son a partir del 08.2018.

Tabla 3 - Análogos extranjeros del transistor KT315

Doméstico transistor	Oportunidad comprar	Compañía fabricante	Un país fabricante
KT315A	No	Unitra CEMI	Polonia
KT315B	No	Unitra CEMI	Polonia
KT315V	No	Unitra CEMI	Polonia
KT315G	No	Unitra CEMI	Polonia
KT315D	Hay	Hitachi	Japón
KT315E	si ~ 4$	Semiconductores centrales	EE.UU
KT315Zh	si ~ 9$	Corporación eléctrica de Sprague.	EE.UU
KT315Zh	Hay	ITT Intermetall GmbH	Alemania
KT315I	si ~ 16$	Semiconductores de Nueva Jersey	EE.UU
KT315I	Hay	sony	Japón
KT315N	si ~ 1$	sony	Japón
KT315R	No	Unitra CEMI	Polonia

El prototipo extranjero del transistor KT315-1 son los transistores 2SC544, 2SC545, 2SC546, Sanyo Electric, Japón. También se pueden comprar transistores 2SC545, 2SC546, el precio estimado es de unos $6.

Características técnicas principales

Tabla 4 - Parámetros eléctricos de los transistores KT315 en el momento de la aceptación y entrega

Nombre del parámetro (modo de medición) unidades	Carta designación	Norma parámetro		Temperatura, °C
		al menos	no más
Tensión límite (I C = 10 mA), V KT315A, KT315B, KT315Zh, KT315N KT315V, KT315D, KT315I KT315G, KT315E, KT315R	U (CEO)	15 30 25	–	25
(I C = 20 mA, I B = 2 mA), V KT315A, KT315B, KT315V, KT315G, KT315R KT315D, KT315E KT315Zh KT315I	U CEsat	–	0,4 0,6 0,5 0,9
Tensión de saturación colector-emisor (I C \u003d 70 mA, IB \u003d 3.5 mA), V KT315N	U CEsat	–	0,4
Voltaje de saturación del emisor base (I C = 20 mA, I B = 2 mA), V KT315A, KT315B, KT315V, KT315G, KT315N, KTZ I5P KT315D, KT315E KT315Zh KT315I	U BEsat	–	1,0 1,1 0,9 1,35
KT315A, KT315B, KT315V, KT315G, KT315N, KT315R KT315D, KT315E, KT315J, KG315I	Yo CBO	–	0,5 0,6	25, -60
Corriente de colector inverso (U CB \u003d 10 V), μA KT3I5A KT315B, KT315V, KT315G, KT315N, KT315R KT315D, KT315E	Yo CBO	–	10 15	100
Corriente de emisor inverso (U EB \u003d 5 V) μA KT315A - KG315E, KT315Zh, XT315N KT315I KT315R	Yo EBO	–	30 50 3	25
, (R BE =10 kOhm U CE =25 V), mA, KT3I5A (R BE \u003d 10 kOhm U CE \u003d 20 V), mA, KT315B, KT315N (R BE \u003d 10 kOhm U CE \u003d 40 V), mA KT315V (R BE \u003d 10 kOhm U CE \u003d 35 V), mA, KT315G (R BE \u003d 10 kOhm U CE \u003d 40 V), mA, KT315D (R BE \u003d 10 kOhm U CE \u003d 35 V), mA, KT315E	I CER	–	0,6 0,6 0,6 0,6 1,0 1,0 0,005	25
Corriente inversa colector-emisor (R BE \u003d 10 kOhm U CE \u003d 35 V), mA, KT315R	I CER	–	0,01	100
Corriente inversa colector-emisor (U CE =20 V), mA, KT315Zh (U CE =60 V), mA, KT315I	CES	–	0,01 0,1	25, -60
Corriente inversa colector-emisor (U CE =20 V), mA, KT3I5Ж (U CE =60 V), mA, KT3I5I	CES	–	0,1 0,2	100
Relación de transferencia de corriente estática (U CB = 10 V, I E = 1 mA) KT315A, KT3I5B KT315D KT315Zh KT315I KT315R	hora 21E	30 50 20 30 30 150	120 350 90 250 – 350	25
Relación de transferencia de corriente estática (U CB = 10 V, I E = 1 mA) KT315A, KT3I5B KTZ15B, KT315G, KT315E, KT315N KT315D KT315Zh KT315I KT315R	hora 21E	30 50 20 30 30 150	250 700 250 400 – 700	100
Relación de transferencia de corriente estática (U CB = 10 V, I E = 1 mA) KT315A, KT3I5B KTZ15B, KT315G, KT315E, KT315N KT315D KT315Zh KT315I KT315R	hora 21E	5 15 5 5 5 70	120 350 90 250 – 350	-60
Módulo de relación de transferencia de corriente a alta frecuencia (U CB = 10 V, I E = 5 mA, f = 100 MHz)	\|h 21E \|	2,5	–	25
capacitancia de la unión del colector (UCB = 10 V, f = 10 MHz), pF	C C	–	7	25

Tabla 5 - Modos de funcionamiento máximos permitidos del transistor KT315

Parámetro, unidad	Designación	Norma de parámetros
		KG315A	KG315B	KG315V	KG315G	KTZ15D	KG315E	KG315J	KG315I	KT315N	KT315R
máx. voltaje de colector-emisor de CC permitido, (R BE = 10 kOhm), V 1)	U CERmáx	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
máx. voltaje constante colector-emisor permitido en caso de un cortocircuito en el circuito emisor-base, V 1)	U CES máx.	–	–	–	–	–	–	20	60	–	–
máx. tensión de CC admisible en la base del colector, V 1)	U CB máx.	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
máx. base-emisor de tensión constante admisible, V 1)	U EB máx.	6	6	6	6	6	6	6	6	6	6
máx. corriente de colector CC admisible, mA 1)	I Cmax	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100
máx. disipación de potencia constante permisible del colector, mW 2)	PC máx.	200	200	200	200	200	200	200	200	200	200
máx. temperatura de transición permitida, ⁰С	t j max	125	125	125	125	125	125	125	125	125	125

Nota:
1. Para todo el rango de temperatura de funcionamiento.
2. A t atv de menos 60 a 25 °С. Cuando la temperatura supera los 25 °C, la P C máx se calcula mediante la fórmula:

donde R t hjα es la resistencia térmica total del entorno de transición, igual a 0,5 °C/mW.

Figura 3 - Característica de entrada típica de los transistores KT315A - KT315I, KT315N, KT315R

Figura 4 - Característica de entrada típica de los transistores KT315A - KT315I, KT315N, KT315R
en U CE \u003d 0, t atv \u003d (25 ± 10) ° С

Figura 5 - Características típicas de salida de transistores como KT315A, KT315V, KT315D, KT315I
en t atv = (25±10) °С

Figura 6 - Características típicas de salida de transistores como KT315B, KT315G, KT315E, KT315N
en t atv = (25±10) °С

Figura 7 - Características de salida típicas
transistor KT315Zh en t atv = (25±10) °С

Figura 8 - Características de salida típicas
transistor KT315R a t atv = (25±10) °С

Figura 13 - Dependencia del coeficiente de transferencia de corriente estática de la corriente constante del emisor para el transistor KT315Zh en U CB = 10, t atv = (25±10) °С

Figura 14 - Dependencia del coeficiente de transferencia de corriente estática de la corriente constante del emisor para el transistor KT315R en U CB = 10, t atv = (25 ± 10) ° С

Figura 15 - Dependencia del módulo del coeficiente de transferencia de corriente a alta frecuencia de la corriente continua del emisor en U CB = 10, f = 100 MHz, t atv = (25±10) °С

Figura 16 - Dependencia de la constante de tiempo del circuito de retroalimentación a alta frecuencia en el voltaje de la base del colector en I E = 5 mA, t atv = (25 ± 10) ° С para KT315A

Figura 18 - Dependencia de la constante de tiempo del circuito de retroalimentación a alta frecuencia en la corriente del emisor en U CB = 10 V, f = 5 MHz, t atv = (25 ± 10) ° С para
KT315A